华为不止一次聊台积电，前段时间被三星咬得很紧，虽然7nm工艺去年已经量产，7nm 首次引入EUV极紫外光刻技术，目前已经投入量产。但三星也有同样的工艺，而且技术也是相当成熟。
而最近台积电传来喜讯，可以松一口气了。台积电宣布已经启动2nm工艺研发，预计四年后问世，可以把三星甩开几条街了。
6nm只是7nm的一个升级版，明年第一季度试产。
5nm全面导入EUV极紫外光刻，已经开始风险性试产，明年底之前量产，海思麒麟、苹果A14、AMD五代锐龙(Zen 4都有望采纳)，之后还有个增强版的N5P工艺。
3nm有望在2021年试产、2022年量产。
在3nm之后就要进入2nm工艺了，实际上台积电今年6月份就宣布研发2nm工艺了，工厂设置在位于台湾新竹的南方科技园，预计2024年投入生产。
按照台积电给出的指标，2nm工艺是一个重要节点，Metal Track(金属单元高度)和3nm一样维持在5x，同时Gate Pitch(晶体管栅极间距)缩小到30nm，Metal Pitch(金属间距)缩小到20nm，相比于3nm都小了23％。
不过，台积电没有透露2nm工艺所需要的技术和材料，性能、功耗等指标更是无从谈起。
听到这一系列消息，华叔也十分兴奋，起码我们的手机芯片功耗、性能将会再上一个台阶。
那到底现在的纳米层级最多极限到多少？
碳纳米管可以将半导体工艺推进到1.2nm尺度，最终可以达到0.1nm尺度，这相当于氢原子的大小级别了。
现在的制程定义不能再反应真正的科技水平了，氢原子级别的微缩才是创新，而且很多创新都是不可预见的。
之前华叔都说过，芯片每10年一次革命，制程节点已经变成了一种营销游戏，与科技本身的特性没什么关系了。所以，微米级别将是下一次革命。
事实上，台积电包揽了全球90%的5G芯片订单一点都不为过。现在全球60%以上的芯片代工订单其实都被台积电拿在手上。
刚发布的Mate 30系列上推出的麒麟990处理器，基于台积电7nm EUV（极紫外光刻工艺）工艺，这也是台积电首次生产EUV光刻技术，并集合5G基带的移动SOC。采用光来蚀刻硅晶片上的晶体管，这技术可让晶体管的位置更精确，同时芯片上的晶体管密度可增加20%，使单位面积的芯片性能更强大、能耗更低。
还有苹果A13处理器，A13芯片与麒麟990一样，同样采用台积电的第二代7nm工艺（EUV光刻技术）。苹果计划在A13芯片中加入新组件，包括用于拨打电话和连接互联网的蜂窝调制解调器，以及基于最近与Dialog Semiconductor Plc达成协议的电源组件。
明年，华为Mate 40将率先搭载麒麟1000芯片，该芯片基于台积电5nm工艺制程打造，麒麟990 5G集成了高达103亿个晶体管，如果麒麟1000每平方毫米可能有多达1.713亿个晶体管。
另外，麒麟1000可能会采用Cortex A77架构，性能表现值得期待。
除了台积电和三星，国内的半导体企业也在迅速发展，日本半导体生产设备企业已经开始“转向中国”。在中国，设备投资额达到 1 万亿日元（1 日元约合 0.009 美元）规模的半导体工厂的建设计划相继浮出水面。
对于销售生产设备的企业来说，中国是有潜力的市场。希望未来我们也有自己制造芯片的公司，避免被国外掐脖子的情况发生。
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（来源：华叔聊5G的财富号 2019-10-07 09:00） [点击查看原文]
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