中金 | 碳化硅材料：乘碳中和之东风，国内厂商奋起直追

碳化硅（SiC）材料是第三代化合物半导体的典型代表，特别是在下游需求快速成长的新能源相关应用中，我们认为SiC相比Si基材料优势明显：1）在新能源车领域，SiC器件有望解决续航里程短、补能时间长等痛点；2）在光伏发电方面，SiC器件有望提升逆变器转换效率及使用寿命。根据Wolfspeed预测，2026年SiC相关器件市场有望达到89亿美元，衬底市场有望达到17亿美元，合计市场超百亿。我们认为SiC材料（衬底、外延）作为产业链中的核心环节，有望充分受益，相关A股标的市场关注度有望迎来快速提升。

摘要

SiC衬底及外延生长技术壁垒高，海外企业技术领先：我们认为，SiC材料制备水平对器件最终性能起决定性作用，技术壁垒较高：SiC晶锭通常需要在高温高压的气相环境中生长；目前领先企业的单晶生长速度在每小时400微米左右，与Si存在数百倍的差距，目前PVT法依然是较主流的技术路线，市场规模较大的导电型产品主流尺寸为6英寸。外延方面，目前行业内平均生长速度为数微米/小时，随着耐压要求提高，外延层制造时间相应加长。目前美国Wolfspeed在SiC材料市场处于主导地位，2020年在衬底市占率超60%。

海外及中国大陆厂商加速扩产，但国内有效产能仍稀缺：根据Wolfspeed测算，2026年全球SiC衬底市场有望达到17亿美元，在400-500美元的衬底均价假设下，届时需求有望达到400万片/年上下。根据我们统计，海外厂商产能正处于加速扩张之中，2024-2025年海外企业规划年产能有望达到约204万片（6英寸等效），是2020年的6倍之多，2022年起部分厂商还有望供应8英寸导电衬底。国内方面，我们看到目前衬底主流产品仍以4英寸为主，大规模量产6英寸企业较少，与海外存在差距；而产能方面大步推进，远期规划年产能超400万片（对应超200亿投资，目前产能仅20-30万片/年）。我们认为并非所有产能都能形成有效转化，未来随着国内项目的陆续投产，部分良率偏低的项目可能会被以兼并重组的方式淘汰。我们认为行业应避免产能无序扩张。

碳化硅材料企业盈利能力及估值展望：我们认为SiC衬底供应商的整体良品率与每个单晶炉年产量是体现公司核心竞争力的关键，中长期来看本土SiC衬底龙头企业的营业利润率有望达到25%-30%。目前二级市场常用P/S法对SiC材料企业估值，而在未来中长期3-5年维度来看，我们认为P/E估值法是行业较为通用的估值方法，受益于新能源应用的持续增长，行业有望持续享受较高的估值水平。

风险

国产厂商良率及产能提升不及预期；碳化硅器件下游需求增长不及预期。

文章来源

本文摘自：2021年1月13日已经发布的《碳化硅材料：乘碳中和之东风，国内厂商奋起直追》

成乔升 SAC 执证编号：S0080521060004

江 磊 SAC 执证编号：S0080121100009

李学来 SAC 执证编号：S0080521030004 SFC CE Ref：BRH417

彭 虎 SAC 执证编号：S0080521020001 SFC CE Ref：BRE806

本文转载自《中金点睛》