来源：内容来自半导体行业观察综合，谢谢。
一位知情人士周二表示，佳能公司将投资 500 亿日元，将其在日本的半导体制造设备产量翻一番，因为该国试图在全球短缺的情况下加强芯片供应链。消息人士称，该公司计划于 2023 年在其位于栃木县宇都宫市的工厂开始建设新工厂，以增加半导体光刻设备的产量。
佳能的目标是在 2025 年开始该工厂的运营。该公司还在考虑在该工厂生产下一代设备，这些设备可以以更低的成本制造芯片。
这一决定是在日本、美国和其他亚洲国家急于投资半导体行业之际做出的，因为它们寻求克服全球芯片短缺并建立对对手依赖程度较低的供应链。
佳能目前在日本有两个半导体光刻设备生产基地，一个在枥木，另一个在东京东北部的茨城县。由于需求不断增长，该公司的目标是今年销售 180 台此类设备，比一年前增加约 30%。
佳能的光刻机往事
佳能在上世纪输出还是很猛的，在1970年发售了日本首台半导体光刻机PPC-1；1975年发售的FPA-141F光刻机，在世界上首次实现了1微米以下的光刻；1984年推出了FPA-1500FA，分辨率为 1.0 m；1994 年发布第一款 FPA-3000 系列，配备了分辨率为 0.35 m 的 i-line 镜头，是当时世界上分辨率最高的镜头之一。
算了算，今年是佳能正式投入半导体光刻机领域的第52周年，在上世纪被著名的干湿路线之争绊了一跤之后，佳能就有些赶不上ASML的步伐了。如今，佳能专注于低端产品，官网显示，佳能出售的光刻机涉及i-line到KrF级别，并没有浸入式光刻机，与EUV光刻机区别就在于光源波长的不同，EUV 技术所使用的光源波长为135纳米，而KrF技术则是248纳米，i线光源波长是365纳米。众所周知，对于光刻机来说，所用光源波长越短，越能描绘微细线宽的半导体电路。所以能感受到两者之间的差距了吧。
虽然佳能光刻机低端，但近期热度却不小，据华尔街日报去年年底报道，1995年制造的二手光刻机佳能FPA3000i4，在2014年10月只值10万美元，今天则值170万美元。佳能日前公布的财报也指出安全摄像头以及光刻机推动业绩打仗，随着半导体设备投资的增加，佳能的光刻机业务还会持续增长。
不过“啃老”总归不长久，创新才是真的出路。在EUV领域想要赶超ASML几乎是不可能的了，那不如就换个方向，而佳能选中的就是“纳米压印光刻（NIL）”。佳能官方对NIL是这么介绍的，这种方法具有简单、紧凑、能够以低成本制造芯片的优点。
确实，相比EUV光刻机复杂的结构以及难以提高生产率，NIL 只需要将形成三维结构的掩膜压在晶圆上被称为液体树脂的感光材料上，同时照射光线，一次性完成结构的转印的方法。不需使用EUV光刻机，也不需要使用镜头，而且还可以将耗电量可压低至EUV技术的10%，并让设备投资降低至仅有EUV设备的40% ，可以说是“省钱小能手”。
官方消息显示，佳能早在2004 年就开始研发NIL技术，2014年美国分子压印公司（现佳能纳米技术）加入佳能集团的消息公开，明确表示将使用纳米压印法进行开发。2021 年春季，大日本印刷在根据设备的规格进行了内部模拟，发现在电路形成过程中每个晶片的功耗可以降低到使用EUV曝光时的大约1/10，根据大日本印刷的说法，NIL量产技术电路微缩程度则可达5nm节点。2017 年 7 月，佳能纳米压印半导体制造设备“FPA-1200NZ2C”设备交付给东芝存储器四日市工厂。
在佳能开发人员首藤真一看来，这种纳米压印设备是一种将创造未来的设备。未来，半导体会变得更精细，不仅会被封装在智能手机中，未来还会被用作贴纸，比如贴在人体皮肤上或隐形眼镜上。他相信只有纳米压印方式才能以客户要求的成本和速度实现这一点。
从目前透露的消息来看，和佳能共同开发的NIL技术的铠侠已掌握NIL 15nm的制程量产技术，目前正在进行15nm以下技术研发，预计2025年进一步达成。不过佳能方面还未透露出设备量产的消息，实用化的时期还不明确，我们可以期待下。
*免责声明：本文由作者原创。文章内容系作者个人观点，半导体行业观察转载仅为了传达一种不同的观点，不代表半导体行业观察对该观点赞同或支持，如果有任何异议，欢迎联系半导体行业观察。
今天是《半导体行业观察》为您分享的第3181内容，欢迎关注。
本文作者可以追加内容哦 !
