优恩半导体-GDT陶瓷气体放电管与压敏电阻导通顺序的分析

GDT陶瓷气体放电管与MOV压敏电阻串联使用时，大家可能只注意到它们在共模雷击时起到抑制雷击浪涌电压的一个作用，但关于它们之间的导通顺序可能都不会去观察，优恩小编认为，器件的导通顺序也是我们需要去了解的一部分。

但要想知道GDTwww.un-semi.com陶瓷气体放电管与压敏电阻哪个先导通，我们首先得了解它们的特性，且看下文：

陶瓷气体放电管——

1.介绍

GDT放电管是采用陶瓷作为密封原料，且电容量极小的一种对称开关型器件。一般在不受外界干扰情况下是处于关闭状态，同时，其电阻值在M级以上。其作用是限制浪涌电压，保护电路免受过压的损害。

2.参数

1）反应时间是指从外加电压超过击穿电压到出现击穿的时间。GDT放电管的反应时间一般以微秒为单位。

2）允许功率负荷是指陶瓷气体放电管能够承受和耗散的较大能量，一般是8/20s电流波形下能够承受及耗散的电流。

3）电容值是说在特定波形下(一般在1MHz频率)测得的GDT放电管两个电极之间的电容。GDT电管的电容很小，一般是≤1pF。

4）直流击穿电压是在陶瓷气体放电管上施加100V/s的直流电压时的击穿电压值。放电管产生火花时的电压即为击穿电压。 气体放电管有多种不同规格的直流击穿电压，我们有70V-5500V的。其误差范围：一般为20%，也有的为15%。其值取决于气体种类和电极间距等因素。

MOV压敏电阻——

通过对比分析可知，压敏电阻的电容在1kHz时为210pF，而GDT放电管在1MHz频率时的电容为1-2pF。

如果我们在两端加上雷击浪涌电压，放电管和压敏电阻之间的电压就会除以寄生电容。GDT放电管与压敏电阻两个器件串联时，通常小容量的分压较高，大容量的分压较小，MOV压敏电阻的寄生电容是陶瓷气体放电管的百倍，因此绝大部分的电压会给到放电管，放电管导通之后，再施加到压敏电阻上，此时压敏电阻就会导通。在这种压敏电阻和GDT放电管串联使用的电路应用中，响应时间是放电管和压敏电阻响应的总和。

关于这两种器件导通顺序的分析就到这里结束了，大家了解了吗？