铟在半导体和光通信用途：
磷化铟（InP）是一种重要的化合物半导体材料，其具有饱和电子漂移速度高、抗辐射能力强、导热性好、光电转换效率高、禁带宽度高等诸多优点，磷化铟具有闪锌矿型晶体结构，禁带宽度为1.34eV，常温下迁移率为3000—4500 cm2 /(V.S)，被广泛应用于光通信、高频毫米波器件、光电集成电路和外层空间用太阳电池等领域。以上的材料属性，使用磷化铟衬底制造的半导体器件，因其特殊的材料特性，被广泛应用于生产射频器件、光模块、LED（Mini LED及Micro LED）、激光器、探测器、传感器、太空太阳能电池等器件，在5G通信、数据中心、新一代显示、人工智能、无人驾驶、可穿戴设备、航天等领域具有广阔的应用空间。
磷化铟半导体材料具有宽禁带结构，并且电子在通过InP 材料时速度快，因此利用磷化铟芯片制造的卫星信号接收机和放大器可以工作在100GHz以上的极高频率，并且有很宽的带宽，受外界影响较小，稳定性很高。因此，磷化铟是一种比砷化镓更先进的半导体材料, 有可能推动卫星通信业向更高频段发展。
磷化铟（InP）和砷化镓（GaAs）相比，电学等物理性质优势突出，在半导体光通信领域应用占据优势。作为同比材料的砷化镓，磷化铟有以下几点优势：（1）磷化铟具有高电子峰值漂移速度、高禁带宽度、高热导率等优点。InP 的直接跃迁带隙为1.34eV，对应光通信中传输损耗最小的波段；热导率高于GaAs，散热性能更好；（2）磷化铟在器件制作中比GaAs更具优势。InP器件高电流峰谷比决定了器件的高转换效率；InP惯性能量时间常数是GaAs的一半，工作效率极限高出GaAs器件一倍；InP器件具有更好的噪声特性；（3）磷化铟（InP）作为衬底材料主要有以下应用途径。光电器件，包括光源（LED）和探测器（APD雪崩光电探测器）等，主要用于光纤通信系统；集成激光器、光探测器和放大器等，是光电集成电路是新一代40Gb/s通信系统必不可少的部件。锗镓出口管制后：磷化铟成为最佳的替代者（也是唯一的），上周每吨铟大涨18万。周涨幅高达12%。目前大有加速上行趋势.
中国铟储量占全球比高达70%，长期价格低迷，价值严重被低估。受锗镓出口限制后，价格有望重新得以发掘。
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