三星、SK海力士生产最先进HBM3规格的DRAM将加大铪用量。从需求来看，半导体、飞机、工业燃气轮机叶片、核反应堆等多领域都需要用到铪。其中，在半导体行业中，现有高k材料主要是锆(Zr)，但铪更适合微加工，且稳定性更突出。铪氧化物薄膜是很可能用于COMS和下一代DRAM中的候选高介电常数(高k)绝缘层材料。因此，报道指出，三星电子、SK海力士等存储芯片大厂在生产最先进HBM3规格的DRAM时，也着手增加铪的用量。而这两家公司每年的铪采购量都有100多吨 。
铪作为替代材料首次突破摩尔极限。此前，英特尔曾在45nm晶体管中，用铪替代二氧化硅，可在显著降低漏电量的同时保持高电容。铪在最新一代HBM3中全面替代二氧化硅作为高K（介电常数）材料，首次突破摩尔定律极限。另外，自45nm技术节点开始，特别是28nm以下的先进CMOS技术普遍采用的高k/金属栅技术均以铪基氧化物作为核心材料，被摩尔定律提出者评价为CMOS技术发明以来最大的技术革命。
铪为锆矿的副产品产能稀缺。而以铪基氧化物为代表的新型阻变存储器(RRAM)技术，也已展示出低压、低功耗、高密度集成的特点与存算融合等新功能。从需求端来看，增加铪供给量也颇具难度。这一金属并不是直接从作为原料的矿石中生产的，而是生产锆时的副产品，而在这一过程中，锆铪比例仅为50:1 。
（东方锆业、三祥新材、龙佰集团）
追加内容
本文作者可以追加内容哦 !
