格芯获3500万美元资金补贴，加速200mm硅基氮化镓晶圆的量产

近日，格芯宣布，已从美国国防部获得3500万美元资金，用于支持其位于佛蒙特州工厂的硅基氮化镓（GaN on Si）平台，预计这笔资金将加速该公司200mm硅基氮化镓晶圆的量产。

格芯佛蒙特州半导体制造工厂表示，继续朝着大规模生产用于航空航天和国防、蜂窝通信、工业物联网和汽车的下一代氮化镓芯片迈进。

格芯总裁兼CEO Thomas Caulfield表示：“硅基氮化镓是新兴市场高性能射频、高压功率开关和控制应用的理想技术，对于6G无线通信、工业物联网和电动汽车非常重要。”

格芯计划购买更多设备来提升开发和原型设计能力，向大规模200mm硅基氮化镓半导体制造迈进。作为投资的一部分，格芯计划实施新的能力，以减少格芯及其客户面临镓供应链限制的风险，同时提高美国制造氮化镓芯片的开发速度、供应保证和竞争力。

相关信息显示，格芯佛蒙特州工厂拥有1800名员工，该工厂是DMEA（国防微电子）认证的可信代工厂，与美国国防部合作生产安全芯片，用于美国一些最敏感的航空航天和国防系统。

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