10月19日消息，格芯宣布已获得美国政府提供的3500万美元联邦资金，以加速其位于佛蒙特州的工厂在硅半导体上制造差异化氮化镓芯片。
格芯佛蒙特州半导体制造工厂与美国政府合作，继续朝着大规模生产用于航空航天和国防、蜂窝通信、工业物联网和汽车的下一代氮化镓芯片迈进。
格芯一直是美国政府资助的受益者，其中包括2020至2022年提供的4000万美元支持，这充分利用了格芯佛蒙特州团队人才及其200mm半导体（200mm是最先进的GaN芯片技术）制造经验，并将其应用于硅基氮化镓制造。
格芯总裁兼CEO Thomas Caulfield表示：“硅基氮化镓是新兴市场高性能射频、高压功率开关和控制应用的理想技术，对于6G无线通信、工业物联网和电动汽车非常重要。”
利用美国国防部可信访问计划办公室（TAPO）提供的3500万美元新资金，格芯计划购买更多设备来提升开发和原型设计能力，向大规模200mm硅基氮化镓半导体制造迈进。作为投资的一部分，格芯计划实施新的能力，以减少格芯及其客户面临镓供应链限制的风险，同时提高美国制造氮化镓芯片的开发速度、供应保证和竞争力。
格芯佛蒙特州工厂拥有1800名员工，该工厂是DMEA（国防微电子）认证的可信代工厂，与美国国防部合作生产安全芯片，用于美国一些最敏感的航空航天和国防系统。
据全球市场研究机构TrendForce集邦咨询调查显示，到2026年，全球GaN功率元件市场规模将从2022年的1.8亿美金成长到13.3亿美金，复合增长率高达65%。
强大的市场需求下，包括格芯、英飞凌、DB Hi-Tech、三安光电、华润微等众多半导体厂商开始扩充生产线，布局氮化镓市场。未来，氮化镓成长空间广阔。
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