SiC晶圆缺陷检测系统是用于半导体行业检测和分析碳化硅（SiC）晶圆缺陷的设备。SiC晶圆用于生产高功率和高温电子器件，例如电力电子和射频（RF）器件。 缺陷检测系统利用光学显微镜、扫描电子显微镜 (SEM) 和原子力显微镜 (AFM) 等先进成像技术来识别和表征晶圆表面的缺陷。这些缺陷可能包括颗粒、划痕、凹坑、裂纹和其他可能影响电子设备性能和可靠性的缺陷。该系统通常包括分析捕获的图像并提供有关晶圆上缺陷的尺寸、形状和分布的定量数据的软件。 这些信息对于SiC器件制造过程中的质量控制和工艺优化至关重要。通过使用缺陷检测系统，制造商可以在生产过程的早期发现并解决潜在问题，从而减少良率损失并提高SiC晶圆及其制造设备的整体质量。
目前，SiC晶圆缺陷检测系统的典型产品有科磊的Surfscan SP Ax、Lasertec的SICA88、Nanotronics的nSpec PRISM™等。
2023年11月28日，半导体测试解决方案专业品牌蔚华科技携手旗下数位光学品牌南方科技，共同推出业界首创的JadeSiC-NK非破坏性SiC缺陷检测系统，采用先进非线性光学技术对SiC基板进行全片扫描，找出基板内部的致命性晶体缺陷，用以取代现行高成本的破坏性KOH（氢氧化钾）蚀刻检测方式。
根据最新调研报告显示，预计2029年全球SIC晶圆缺陷检测系统市场规模将达到10.5亿美元，未来几年年复合增长率CAGR为4.6%。
全球范围内，SIC晶圆缺陷检测系统主要生产商包括科磊、Lasertec、Nanotronics、东京电子、日立、Intego GmbH、Visiontec、东丽、Confovis、昂坤视觉、Camtek、布鲁克、SCREEN Semiconductor Solutions、EtaMax、格灵精睿、LAZIN Co、YGK Corporation、蔚华科技等，其中前三大厂商占有大约50%的市场份额。
主要驱动因素:
随着汽车的电动化趋势日益加速，碳化硅（SiC）功率件作为电动汽车关键组件的需求呈现出爆式的增长。而要实现高质量的SiC功率器件制造，对晶圆陷检测系统的需求也随之增长。SIC晶圆缺陷检测系统可以帮助制造商及时发现和解决晶圆上的缺陷问题，确保器件质量和一致性。
主要阻碍因素:
SIC晶圆缺陷检测相对复杂，需要高度精确的检测技术和算法。然而，这些技术和算法的开发和应用还面临一些挑战，例如对不同类型缺陷的准确识别、大规模数据处理和分析的能力等。这些技术挑战可能限制了系统的性能和效率，从而阻碍市场发展。
未来发展机遇:
未来，自动化和智能化将成为SIC晶圆缺陷检测系统的发展趋势。自动化技术可以实现检测过程的高度自动化和无人化，提高生产效率和降低人工成本。智能化算法和系统能够自动分析和处理大量的检测数据，并为制造商提供实时的缺陷识别和预警。同时，SIC晶圆缺陷检测系统将受益于技术创新和进步光学、图像处理和机器学习等先进技术的不断发展，将提高系统的检测精确性、效率和可靠性。这将为制造商提供更多的机会来开发适应未来市场需求的创新解决方案。
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