天通股份申请晶体生长专利，有效降低晶棒氧含量金融界2024年1月11日消息，据国

天通股份申请晶体生长专利，有效降低晶棒氧含量金融界2024年1月11日消息，据国家知识产权局公告，天通控股股份有限公司申请一项名为“一种晶体与坩埚同向旋转的长晶方法“，公开号CN117364225A，申请日期为2023年12月。
专利摘要显示，本发明公开一种晶体与坩埚同向旋转的长晶方法，属于晶体生长领域，是一种有效控制晶棒氧含量的长晶方法，该方法包括备料、引晶、放肩、等径和收尾步骤。长晶过程中，采用坩埚与晶体同向旋转的方式进行晶体生长，自引晶前稳温开启坩埚旋转，坩埚与晶体旋转方向都为籽晶安装于籽晶轴的旋紧方向，在放肩过程中根据晶体与熔汤的雷诺系数比，对晶体和坩埚转速进行分阶段设定，并在转肩阶段对PID设定提出较优解。等径步骤中，依照模拟结果保持最优坩埚与晶体旋转速度，直至收尾。通过晶体和坩埚转速的调整并配合温度PID调节，研发了一种晶体与坩埚同向旋转的方式进行长晶，有效降低晶棒氧含量，优化晶棒电阻率并避免相关氧析出缺陷。