1月11日，日本半导体大厂瑞萨电子发布公告称，已经和氮化镓功率半导体供应商Transphorm达成协议。根据协议，瑞萨电子的子公司将以每股5.10美元的价格收购Transphorm，较Transphorm 在1月10日的收盘价溢价约35%，总估值约为3.39亿美元。
此次收购将为瑞萨提供GaN的内部技术，从而扩展其在电动汽车、计算（数据中心、人工智能、基础设施）、可再生能源、工业电源以及快速充电器/适配器等快速增长市场的业务范围。
随着碳中和的基石需求逐渐增加，对高效电源系统的需求也在增加。为了满足这一趋势，相关产业正在向以碳化硅（SiC）和GaN为代表的宽禁带（WBG）材料过渡。以碳化硅（“SiC”）和GaN为代表。这些先进材料允许比传统硅基器件更广泛的电压和开关频率范围。为了借助这一势头，瑞萨宣布建立一个内部SiC生产线，并签署了一份为期10年的SiC晶圆供应协议。
瑞萨现在计划通过整合Transphorm在GaN方面的专业知识，进一步扩大其WBG产品组合，GaN是一种新兴材料，可以实现更高的开关频率、更低的功率损失和更小的尺寸。这些优势使客户的系统具有更高的效率、更小更轻的组成以及更低的总体成本。
该交易预计将于2024年下半年完成，具体取决于Transphorm股东的批准、所需的监管许可以及其他惯例成交条件的满足。
瑞萨首席执行官Hidetoshi Shibata表示：“Transphorm公司是一家由在GaN功率领域经验丰富的团队领导的独特公司，其源于加利福尼亚大学圣巴巴拉分校，” “引入Transphorm的GaN技术将在我们在IGBT和SiC方面的势头上构建，它将作为增长的关键支柱，推动和扩展我们的电源产品组合，为客户提供选择最佳电源解决方案的完整能力。”
Transphorm的联合创始人、总裁兼首席执行官Dr. Primit Parikh和联合创始人兼首席技术官Dr. Umesh Mishra表示：“结合瑞萨的全球影响力、丰富的解决方案和客户关系，我们很高兴为全行业采用WBG材料铺平道路，并为显著增长创造条件。此次交易还将使我们能够为客户提供进一步扩展的服务，并为我们的股东提供显著的即时现金价值，” “此外，它将为我们卓越的团队提供一个强大的平台，进一步推动Transphorm的领先GaN技术和产品。”
而在瑞萨之前，上一笔收购氮化镓厂商的是英飞凌。
2023年，英飞凌科技宣布完成以8.3亿美元收购加拿大氮化镓系统公司（GaN Systems）的交易，并斥资20亿欧元扩大其位于马来西亚居林和奥地利菲拉赫工厂的氮化镓和碳化硅芯片的产能。
英飞凌功率和传感器系统总裁怀特表示，英飞凌特别看好氮化镓（GaN）芯片。该公司预测，到2027年，氮化镓芯片市场将以每年56%的速度增长。
氮化镓目前与新能源汽车、光伏、5G、消费快充等下游领域深度绑定。2017年-2021年，氮化镓市场规模从78.7亿元提高至358.3亿元，年复合增长率40.1%。头豹研究院指出，随着氮化镓在新能源汽车应用渗透率提升，预计到2026年氮化镓市场规模将增长至1029.7亿元，年复合增长率27.7%。
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