GaN on SiC功率放大器市场规模：未来几年年复合增长率CAGR为10.7%

GaN on SiC功率放大器全球市场总体规模

功率放大器是一种电子放大器，旨在增加给定输入信号的功率幅度。 输入信号的功率增加到足够高的水平，以驱动射频发射器等输出设备的负载。与电压/电流放大器不同，功率放大器设计用于直接驱动负载，并用作放大器链中的最后一个块 。

GaN on SiC具有最高的功率密度，可高效产生高线性输出功率。GaN on SiC功率放大器可在 12 GHz 至 40 GHz 的 Ka、Ku 频段高频下工作，适用于卫星通信、5G，具有宽带宽、高增益和更好的热性能，满足射频应用的要求。

根据QYResearch最新调研报告显示，预计2029年全球GaN on SiC功率放大器市场规模将达到15.9亿美元，未来几年年复合增长率CAGR为10.7%。

全球范围内，GaN on SiC功率放大器主要生产商包括Qorvo、Wolfspeed、Microchip Technology、中电科13所、中电科55所、RFHIC、MACOM、Altum RF、ReliaSat (Arralis)等，其中前五大厂商占有大约82%的市场份额。

目前，全球核心厂商主要分布在美国。

就产品类型而言，目前低功率放大器是最主要的细分产品，占据大约58.2%的份额。

就产品应用而言，目前国防和航天航空是最主要的需求来源，占据大约44%的份额。

主要驱动因素:

1.政策支持。

2、高频/射频通信需求：随着移动通信、卫星通信、雷达系统等高频应用的不断增多，对大功率、高效率、宽工作频段的功率放大器的需求 也在增加。

3.小型、紧凑、轻量化设计：SiC基GaN器件体积小、重量轻，使其在5G通信设备、卫星通信和军用雷达等场景中受到青睐。

主要阻碍因素:

1.成本高，制造工艺昂贵。

2.工艺成熟度。

3.产品的使用寿命和稳定性。

4、外延设备国产化率。

行业发展趋势:

1、与GaAs和硅基LDMOS射频器件相比，GaN on SiC射频器件既具有SiC良好的导热性能，又具有GaN在高频频段高功率射频输出的优点，并能提供功率和效率 下一代高频电信网络所需的。

2、高频性能提升：随着无线通信、雷达系统等高频应用的不断增加，GaN on SiC功放市场将不断追求更高的工作频率和更宽的带宽。

3、拓展新应用：GaN on SiC功率放大器已广泛应用于高频通信、5G、雷达和军事领域，未来新兴应用领域还有很多潜在的发展潜力。

本文作者

董家时--本文主要分析师

QYResearch广州分部分析师，作为QYResearch半导体设备和材料部门的成员，具有4年行研工作经验，主要研究方向是机器人、半导体设备、材料和导热粉末领域，部分细分研究课题包括塑封机、前驱体、电镀设备、导热球铝等，同时也从事细分市场报告的开发，并参与定制项目的撰写。

QYResearch是全球知名的大型咨询公司，行业涵盖各高科技行业产业链细分市场，横跨如半导体产业链（半导体设备及零部件、半导体材料、集成电路、制造、封测、分立器件、传感器、光电器件）、光伏产业链（设备、硅料/硅片、电池片、组件、辅料支架、逆变器、电站终端）、新能源汽车产业链（动力电池及材料、电驱电控、汽车半导体/电子、整车、充电桩）、通信产业链（通信系统设备、终端设备、电子元器件、射频前端、光模块、4G/5G/6G、宽带、IoT、数字经济、AI）、先进材料产业链（金属材料、高分子材料、陶瓷材料、纳米材料等）、机械制造产业链（数控机床、工程机械、电气机械、3C自动化、工业机器人、激光、工控、无人机）、食品药品、医疗器械、农业等。