Micro LED（微米发光二极管）由微米级半导体发光单元阵列组成，由于其自发光、高效率、低功耗、可集成、高可靠性等诸多优点，被认为是最有前景的下一代显示技术。相比液晶（LCD）显示和有机发光二极管（OLED）显示技术，Micro LED显示技术在各方面均有领先。一旦突破技术瓶颈进入量产，Micro LED有望带来新一轮显示技术升级换代。
然而，先进技术在发展前期往往面临工艺和成本难题。以4K Micro LED显示屏为例，屏幕上有830万个像素，意味着需要将近2500万颗 Micro LED发光芯片从晶圆转移到承载基板，这些数量庞大而又尺寸微小的LED芯片，给Micro LED量产带来了诸多难题，例如外延的波长一致性、芯片检测与修复、混BIN技术等等；同时，要体现Micro LED的高亮度、高效率的技术特点，又需要与LED特性相匹配的驱动技术方案。
显示技术公司麦沄显示关注到了行业痛点，着力研发Micro LED芯片、驱动匹配方案、巨量转移等关键技术，以解决Micro LED量产问题。36氪获悉，2024年2月，麦沄显示首款百微米以内驱动芯片（Micro IC）流片下线。麦沄显示表示，本次流片下线，意味着更匹配Micro LED发光特性的驱动芯片生产成本得以大幅降低，初具量产性。
麦沄显示首款百微米以内驱动芯片（Micro IC）图源：麦沄显示
针对Micro LED芯片检测难和巨量转移良率低的问题，麦沄显示则使用Chiplet架构，将RGB Micro LED发光芯片和一颗驱动芯片（Micro IC）集成为一颗像素器件，从而实现光驱一体化。这种大芯片结构实现了对 Micro LED芯片的测试、分选和混BIN，降低其对于波长一致性和转移精度的要求；又匹配现有产业链成熟的COB工艺设备，避开大面板的巨量转移良率难题，更为像素修复提供了便利性。
从更深的层面来看，Micro IC的驱动性能与Micro LED更加匹配。相较于传统TFT（薄膜晶体管）驱动，单晶硅制程的Micro IC功耗会大幅降低，更容易发挥出Micro LED高亮度、高光效的特性。并且，光驱一体的Chiplet架构为摆脱TFT基板的限制提供了一条可能的技术路线。无需再考虑驱动单元，像素器件可以转移到任意基板上，例如柔性、透明的基材。这将大大拓宽Micro LED的应用场景。
在团队层面，麦沄显示有着一支兼具技术能力、产业化经验与行业资源的团队。核心成员来自国内头部液晶面板厂商、LED厂商及知名高校，拥有多年Micro LED和巨量转移技术研发经验。2020年成立时，麦沄显示便开始Micro LED的Chiplet研发布局。2021年，麦沄在国内首次推出200微米的micro LED封装芯片。2023年，麦沄的Chiplet产品与全球最大的半导体显示厂商完成定制化开发和小批量出货，并且在SID、IPC、ISLE等全球知名显示展上相继亮相。
本次百微米以内Micro IC流片下线后，麦沄显示将结合Micro LED发光芯片一起完成Chiplet封装。麦沄显示表示，未来将探索融入更多功能的像素器件，通过光、驱、传感一体的像素器件和巨量转移技术，重新定义显示模组。最终目标是将显示做成即贴即用的薄膜形态，实现“用显示重构世界”的愿景。
来源：36氪
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