电光调制器通过调制将通信设备中的高速电子信号转化为光信号，是光通信系统中不可或缺的一环。当前有三种电光调制器制备方案，根据材料平台不同，可分为硅基方案（硅光）、磷化铟方案和铌酸锂方案三种。其中，铌酸锂材料性能优势明显。铌酸锂电光系数显著高于磷化铟，而硅没有直接电光系数，因而铌酸锂调制器是大容量光纤传输网络和高速光电信息处理系统中的关键器件。铌酸锂方案具有高带宽、低插损、较高消光比、工艺成熟等优点；同时能够充分满足传输距离长、容量大的需求。可以传输距离长达100公里以上，容量超过100G，在100G/400G相干光通讯网络和超高速数据中心有着广泛的应用。但是，传统铌酸锂调制器由于尺寸较大，难以满足光器件小型化趋势。而薄膜铌酸锂调制器在性能和性价比上得到新的提升，在保留铌酸锂调制器原有的性能优势的同时使带宽获得突破；随着尺寸的减小也使单位面板传输密度大大提高，成本方面有进一步下降的空间。
随着薄膜铌酸锂新技术突破，新一代薄膜铌酸锂调制器芯片技术将解决尺寸大不利于集成的问题。铌酸锂材料通过新型微纳工艺，在硅基衬底上蒸镀二氧化硅（SiO2）层，将铌酸锂衬底高温键合构造出解理面，最后剥离出铌酸锂薄膜。该工艺下制备出的薄膜铌酸锂调制器芯片突破原有瓶颈，具有高性能、低成本、小尺寸、可批量化生产且与CMOS 工艺兼容等优点，是未来高速光互连极具竞争力的解决方案。薄膜铌酸锂调制器芯片的关键制备技术为铌酸锂薄膜的图形化。我国从1970 年代开始铌酸锂晶体生长、缺陷、性能及其应用研究。1980年，南开大学与西南技术物理所合作发现高掺镁铌酸锂的高抗光损伤性能，该晶体被称为“中国之星”；同年，南京大学突破了周期极化铌酸锂的生长工艺，从实验上实现了准相位匹配。铌酸锂晶体具有光电效应多、性能可调控性强、物理化学性能稳定、光透过范围宽等特点。铌酸锂单晶薄膜相对较硬，组分特殊，难以刻蚀。目前已公开的铌酸锂薄膜图形化技术路线中，主要包括电子束光刻（EBL）+干法刻蚀/湿法刻蚀、紫外+干法刻蚀、DUV+干法刻蚀四种。其中，相对于湿法刻蚀，干法刻蚀对薄膜铌酸锂的形貌和刻蚀速率的可控性更高，运用EBL+干法刻蚀的路线能够充分发挥电子束光刻加工精度高、版图设计灵活、无需掩膜版直接曝光等优点。
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