颗粒硅的研磨法和气相沉积CVD法，合着现在来硅烷这里说的都是要求颗粒硅的；合着就

$硅烷科技(SZ838402)$  颗粒硅的研磨法和气相沉积CVD法，合着现在来硅烷这里说的都是要求颗粒硅的；合着就不能用CVD气相沉积

越纯的硅烷气气相沉积CVD法的电池品质越好，但是成本贵；

这就是为什么需要大量硅烷气，如果价格能下来，谁还用颗粒硅粉研磨法，

一群不去研究的喷子，没办法，硅烷科技太弱了面对的都是一群弱散户，看看人家和远气体里面

从中长期提升能量密度的角度出发，材料厂商倾向于发展硅碳负极，尤其是气相沉积法下的硅碳路线。本质上是打开能量密度上限、 控制膨胀率、提升循环寿命。现有硅碳负极是用传统研磨法生产。研磨法下硅颗粒尺寸较大（通常在100nm以上），膨胀问题难以 解决。CVD法通过将硅纳米颗粒沉积在碳基体表面形成复合材料，基于其产品组分均匀、结构致密，CVD法生成的复合材料膨胀率 更低，对应循环性能得到显著提升，可以更好的发挥硅碳负极高容量的性能优势，待产品成熟，规模化降本后有望大批量应用。