南智先进光电集成技术研究院铌酸锂光子芯片产线启动仪式在新区举行。南京江北新区消息

南智先进光电集成技术研究院铌酸锂光子芯片产线启动仪式在新区举行。南京江北新区消息显示，本次启用的产线，具备了光刻、刻蚀、镀膜、研抛、湿法等系列核心技术工艺。这意味着国内薄膜铌酸锂光子芯片产业化取得重要进展。

一、1.6/3.2T阶段薄膜铌酸锂的大带宽优势将更加突出

传输速率升级与代际提升进度明显加快。更快的产业升级速度对于光模块厂商的交付能力，以及光模块产品的成本/功耗都提出了更高要求，对于材料的要求也进一步提高。

铌酸锂材料具有较强的电光效应，其折射率会随着外部驱动电压发生线性变化，是实现电光调制功能的重要材料之一。薄膜工艺拉进电极距离，降低电压提升带宽电压比。相比其他材料兼具大带宽/低损耗/低驱动电压等诸多光电最需要的优点。

当前800G主流方案包括DR8/SR8/2FR4等方案，无论单模或者多模，较多使用单通道100Gbps速率。而当切换到1.6/3.2T阶段，有望向单波200/400G演进。 TFLN (薄膜铌酸锂)的大带宽优势将更加突出。

二、薄膜铌酸锂调制器凭借多个优势，或迎份额明显提升

国盛证券指出，未来对于成本、功耗、性能等要求会越来越高，而薄膜铌酸锂调制器凭借功耗/成本/性能等多个优势，有望随着速率升级，迎来份额明显提升。据CignalAl预测，2024年全球高速相干光调制器出货量将达到200万端口。按照每个端口平均需要1~1.5个调制器，若薄膜铌酸锂调制器体渗透率可达50%，对应的市场空间约82-110亿元。

三、相关上市公司：天通股份、光库科技、罗博特科

天通股份生产的铌酸锂单晶材料是薄膜铌酸锂调制器的上游关键原材料，公司已经掌握了铌酸锂晶体材料制备的关键核心技术。

光库科技铌酸锂调制器芯片及器件领域，掌握了包括芯片设计、芯片制程、封装和测试等核心技术，公司参加了2024年3月26-28日在美国加利福尼亚州圣地亚哥会展中心举办的第49届光网络与通信研讨会及博览会 (OFC2024)，在本次展览会上，公司展出了多款薄膜铌酸锂产品。

罗博特科参股公司ficonTEC的测试及组装设备在铌酸锂及硅基光电子方面都有应用。