半绝缘型碳化硅衬底上生长氮化镓外延层制得碳化硅基氮化镓外延片

衬底是所有半导体芯片的底层材料，主要起到物理支撑、导热及导电作用。碳化硅是制作高温、高频、大功率、高压器件的理想材料之一，以SiC为衬底制成的半导体器件，可以更好满足高温、高压、大功率等条件下的应用需求。

碳化硅衬底根据电阻率可分为导电型、半绝缘型。导电型碳化硅器件主要用于电动汽车、光伏发电、轨道交通、数据中心、充电等基础建设。电动汽车行业对导电型碳化硅衬底需求空间巨大，目前特斯拉、比亚迪、蔚来、小鹏等新能源车企已经计划使用碳化硅分立器件或模块。

半绝缘碳化硅器件主要用于5G通信、车载通信、国防应用、数据传输、航空航天等领域。通过在半绝缘型碳化硅衬底上生长氮化镓外延层制得碳化硅基氮化镓外延片，可进一步制成微波射频器件，主要应用于射频领域，例如5G通讯中的功率放大器和国防中的无线电探测器。，可进一步制成微波射频器件，主要应用于射频领域，例如5G通讯中的功率放大器和国防中的无线电探测器。