4月17日，纳芯微官微消息显示，其推出首款1200V SiC MOSFET NPC060N120A系列产品，该产品RDSon为60m，具有通孔式TO-247-4L与表面贴装TO-263-7L两种封装形式，可提供车规与工规两种等级。
据介绍，纳芯微的SiC MOSFET具有RDSon温度稳定性、门极驱动电压覆盖度更宽、具备高可靠性，适用于电动汽车（EV）OBC/DC-DC、热管理系统、光伏和储能系统（ESS）以及不间断电源（UPS）等领域。 据悉，为了提供更可靠的SiC MOSFET产品，纳芯微在SiC芯片生产过程中施行严格的质量控制，所有SiC产品做到100%静态电参数测试，100%抗雪崩能力测试。此外，会执行比AEC-Q101更加严格的测试条件来验证产品可靠性。 作为一家高性能高可靠性模拟及混合信号芯片公司，纳芯微自2013年成立以来，聚焦传感器、信号链、电源管理三大方向，提供半导体产品及解决方案，并被广泛应用于汽车、工业、信息通讯及消费电子领域。 2023年，纳芯微开始布局SiC产业并于当年7月推出1200V系列SiC二极管产品，该系列产品专为光伏、储能、充电等工业场景而设计。其在单相或三相PFC、隔离或非隔离型DC-DC电路中均能展现出卓越的效率特性，能够满足中高压系统的需求。 据介绍，纳芯微的SiC二极管采用MPS结构设计，与传统的S结构相比，具有较大优势。MPS结构中的PN结构在大电流下更容易开启，通过向高电阻的漂移区注入少数载流子形成电导调节效应，从而降低漂移区的导通电阻。在保持器件正向导通电压不变的情况下，器件的抗浪涌电流能力得到增强。 同时，纳芯微NPD020N120A SiC二极管在额定电流下的正向导通电压实测典型值为1.39V，而单次浪涌电流的实测典型值可以达到220A，是正向额定电流的11倍，性能优于行业水平。
据介绍，纳芯微的SiC MOSFET具有RDSon温度稳定性、门极驱动电压覆盖度更宽、具备高可靠性，适用于电动汽车（EV）OBC/DC-DC、热管理系统、光伏和储能系统（ESS）以及不间断电源（UPS）等领域。 据悉，为了提供更可靠的SiC MOSFET产品，纳芯微在SiC芯片生产过程中施行严格的质量控制，所有SiC产品做到100%静态电参数测试，100%抗雪崩能力测试。此外，会执行比AEC-Q101更加严格的测试条件来验证产品可靠性。 作为一家高性能高可靠性模拟及混合信号芯片公司，纳芯微自2013年成立以来，聚焦传感器、信号链、电源管理三大方向，提供半导体产品及解决方案，并被广泛应用于汽车、工业、信息通讯及消费电子领域。 2023年，纳芯微开始布局SiC产业并于当年7月推出1200V系列SiC二极管产品，该系列产品专为光伏、储能、充电等工业场景而设计。其在单相或三相PFC、隔离或非隔离型DC-DC电路中均能展现出卓越的效率特性，能够满足中高压系统的需求。 据介绍，纳芯微的SiC二极管采用MPS结构设计，与传统的S结构相比，具有较大优势。MPS结构中的PN结构在大电流下更容易开启，通过向高电阻的漂移区注入少数载流子形成电导调节效应，从而降低漂移区的导通电阻。在保持器件正向导通电压不变的情况下，器件的抗浪涌电流能力得到增强。 同时，纳芯微NPD020N120A SiC二极管在额定电流下的正向导通电压实测典型值为1.39V，而单次浪涌电流的实测典型值可以达到220A，是正向额定电流的11倍，性能优于行业水平。
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