CSPSD2024前瞻|广东工业大学张紫辉：GaN功率半导体器件仿真建模与制备研究

4月26-28日，“2024功率半导体器件与集成电路会议（CSPSD 2024）”将于成都召开。届时，广东工业大学特聘教授、博士生导师张紫辉受邀将出席会议，并做《GaN功率半导体器件仿真建模与制备研究》的主题报告，将分享最新研究成果。

半导体仿真技术是基于TCAD有限元的一种半导体器件分析方法，通过求解泊松方程、薛定谔方程等与半导体内载流子输运与复合的物理方程，研究半导体器件的电流-电压等特性，可视化半导体内部的能带分布、电场/电势分布等表征半导体器件的关键参数，即依托计算平台，通过建立数理模型，对半导体器件进行“外延生长”、“器件制备”、”器件表征及分析”。报告将GaN功率半导体器件开展详细讨论，详细阐述半导体器件仿真技术在GaN功率半导体器件设计和制备过程中的关键作用，同时深入探讨影响半导体器件性能指标的关键因素，并开发出GaN功率半导体材料与器件相关的数理模型，助力半导体制造领域的发展。

张紫辉，广东工业大学百人计划特聘教授、博士生导师，省特聘专家、省特殊津贴专家，2006年毕业于山东大学并获理学学士学位，2015年毕业于新加坡南洋理工大学并获博士学位，入选2022年全球前2%顶尖科学家榜单。研究宽禁带半导体器件、半导体器件物理、芯片设计与仿真技术；已在Applied Physics Letters、IEEE Electron Devices等期刊发表科研论文近200篇，其中以第一作者/通讯作者发表文章130余篇；参与出版学术专著5部；获授权美国专利、中国国家专利共计40项，已经完成成果转化5项；先后主持国家自然科学基金3项（其中重点基金项目1项）、参与科技部重点研发计划2项、主持省部级及各类人才项目、企业横向课题19项。