在ICT领域，中低压 GaN 器件可应用于光伏优化器，二次电源，三次电源等应用场景。相较于Si MOS器件，可获得更小的开关损耗和驱动损耗以及高频开关速度。但截止目前，中低压GaN依然未在市场上大批量应用，针对器件FOM优值的提升、可靠性的研究、封装的改进、应用风险的指导仍存在提升空间。
4月26-28日，“2024功率半导体器件与集成电路会议（CSPSD 2024）”将于成都召开。期间，海思科技有限公司功率半导体器件部技术专家包琦龙受邀将出席会议，并做《ICT 场景下中低压 (<200V) GaN 器件应用挑战 》的主题报告，将分享最新研究成果，从器件性能、可靠性、应用等角度展开探讨，总结中低压GaN器件当前的应用挑战，激发同行领域的共同思考，推动GaN的规模应用。
会议信息：
【会议时间】
2024年4月26-28日
【会议地点】
四川·成都·成都金韵酒店六层
【指导单位】
电子科技大学
第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）
【主办单位】
电子薄膜与集成器件全国重点实验室
成都信息工程大学
电子科技大学集成电路研究中心
极智半导体产业网（www.casmita.com）
第三代半导体产业
【承办单位】
北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司
【协办支持】
成都氮矽科技有限公司
【程序委员会】
大会主席:张波
程序委员会主席:罗小蓉
副主席:赵璐冰 周琦
程序委员会:
邓小川 龙世兵 王来利 明鑫 杨树 刘斯扬 郭清 魏进 金锐 周春华 刘成 蒋其梦 高巍 包琦龙 潘岭峰 叶怀宇 刘雯 张召富 李虞锋 魏杰等
【主题方向】
1.硅基功率器件与集成技术
高压硅基功率器件（>200 V）、器件仿真与设计技术、器件测试表征技术、器件可靠性、器件制造技术、低压硅基功率器件（≤200 V）、可集成功率器件
2.氮化镓、III/V族化合物半导体功率器件与功率集成
氮化镓功率器件、III/V族化合物（AlN、GaAs）半导体功率器件、器件设计与仿真技术、器件制造技术、器件测试与可靠性、可集成器件与功率集成技术
3.碳化硅、氧化镓/金刚石功率器件与集成技术
碳化硅功率器件、氧化镓/金刚石功率器件、器件设计与仿真技术、器件制造技术、器件测试与可靠性、可集成器件与功率集成技术
4.模组与封装技术
功率器件、模组与封装技术、先进封装技术与封装可靠性
5.功率集成电路设计
功率集成IC设计、宽禁带功率器件驱动IC、功率集成电路测试技术、功率集成工艺平台与制造技术
6.面向功率器件及集成电路的核心材料及装备
核心外延材料、晶圆芯片及封装材料、退火、刻蚀、离子注入、封装、检测及测试设备等
【会议日程】
【拟参与单位】
电子科技大学、成都信息工程大学、中芯国际、三安半导体、浙江大学、中国科学技术大学、东南大学、西安电子科技大学、西安交通大学、清华大学、山东天岳、科友半导体、国星光电、ULVAC、华虹半导体、斯达半导体、蓉矽半导体、阳光电源、扬杰科技、英飞凌、北京大学、厦门大学、中科院半导体所、南京大学、中科院微电子所、长飞半导体、华为、海思半导体、锴威特、基本半导体、中电科四十六所、中电科五十五所、天津大学、华大九天、西门子、博世、三环集团、中科院微电子所、中镓半导体、日立、江苏宏微、苏州晶湛、百识电子、国家电网、华大半导体、意法半导体、中博芯、西安爱科赛博 、小鹏汽车、复旦大学、东莞天域、比亚迪半导体、西安西驰电气、理想汽车、英诺赛科、士兰微、芯迈半导体、中国科学院电工所、立昂微电子、长川科技、众硅电子、莱普科技、海威华芯、麦科信、安徽大学、云镓半导体、西安理工大学……
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