电子科技大学喜提《Nature》

4月11日，川观新闻记者从电子科技大学获悉，该校基础与前沿研究院教授刘奥与物理学院研究员朱慧慧在国际顶尖学术期刊《自然（Nature）》上发表论文，该项研究首创高迁移率稳定的非晶P型（空穴）半导体器件，突破该领域20余年的研究瓶颈，将进一步推动现代信息电子学和大规模互补金属氧化物半导体（CMOS）技术的发展。该成果由电子科技大学和韩国浦项科技大学共同合作完成。

新型非晶碲(Te)基复合半导体的结构和能带解析

半导体是培育新质生产力的重要赛道，事关高水平科技自立自强。

相比于多晶半导体，非晶体系具有低成本、易加工、高稳定性以及大面积制造均匀等优势。然而，传统的非晶氢化硅因电学性能不足而急需探索新材料。