海力士与台积电合作生产HBM 4

SK海力士与台积电合作开发HBM4的消息是半导体行业的一个重要里程碑。这项合作将推动下一代高带宽存储器（HBM）技术的发展，预计将在2026年投产。

HBM4是第六代HBM产品，它将采用台积电的先进逻辑工艺，提升产品性能。这种合作模式，即IC设计厂、晶圆代工厂、存储器厂三方合作，旨在突破面向AI应用的存储器性能极限。HBM技术通过将多个DRAM裸片堆叠在基础裸片上，并通过硅通孔（TSV）技术进行垂直连接，从而实现高性能和高密度的存储解决方案。

他们的合作对于AI、大数据分析、高性能计算等领域的技术进步至关重要，因为这些领域对存储器的性能和带宽要求非常高。SK海力士和台积电的合作可能会加速HBM技术的创新，提供更高性能的存储解决方案，满足未来技术发展的需求。

此外，合作还会促进存储器产品的定制化，使得客户可以根据自己的具体需求获得更加优化的存储器产品。