HBM和DRAM的关系

SK海力士表示旗下HBM产能即使在2024年翻倍，也还是已经饱和；#美光科技向英伟达供货，生产配额也全部售罄。HBM需要DRAM的产出。

HBM（High Bandwidth Memory）是一种基于DRAM（Dynamic Random-Access Memory）技术的高性能内存解决方案。它通过3D堆叠技术将多个DRAM芯片垂直集成在一起，以此来提供更高的带宽和更低的功耗。这种设计使得HBM特别适合用于高性能计算、深度学习和图形渲染等需要处理大规模数据集和复杂计算任务的应用。

具体来说，以下是关于HBM和DRAM之间关系的几点详细说明：

DRAM作为基础：HBM的核心组件是DRAM芯片，这些芯片通过3D堆叠技术集成在一起。随着HBM技术的发展，堆叠的DRAM裸片数量也在增加，这对DRAM的产出提出了更高的要求。

工艺与成本：HBM的生产需要较高的工艺水平，这导致了成本的提升。尽管如此，为了满足特定应用对高带宽的需求，HBM的使用仍然在增加。

结构与性能：与传统的DDR内存相比，HBM的堆叠设计允许更多的内存芯片连接到CPU或GPU，从而实现更高的容量和带宽。同时，由于数据传输的距离更短，通信更高效，这也有助于降低功耗。

市场与标准：HBM技术的发展也伴随着相关标准的制定，例如Jedec JESD235D标准就是关于HBM DRAM的一项规范。

太极就算没有HBM,那么HBM也是太极的DRAM堆叠起来的。