低迷了多个季度的存储市场终于扬眉吐气了一回。凭借HBM的热度，SK海力士成功拉升了Q1业绩。
营收同比增长144%
财报显示，SK海力士第一季度营收为12.43万亿韩元(约合90亿美元)，同比增长144%。营业利润为2.89万亿韩元，这是该公司有记录以来第二高的第一季度营业利润，远超市场预期的1.8万亿韩元，上年同期营业亏损为3.40万亿韩元;净利润为1.92万亿韩元，上年同期净亏损为2.59万亿韩元。
SK海力士表示，对HBM的强劲需求帮助提振了DRAM价格，而对企业固态硬盘的需求帮助NAND实现了“有意义的转变”。SK海力士称，整体内存市场稳步增长，已进入反弹阶段。该公司表示，今年的资本支出将略高于计划。该公司还称，计划增加其领先的HBM3E的供应，并吸引更多客户。
Counterpoint Research主管Tom Kang表示：“这是一个明显的转折点，是SK海力士创纪录的一年的开始。”他预计，该公司今年的营收将达到近61万亿韩元，利润率将超过20%。他指出，SK海力士今年的HBM(高带宽内存)产能已被预订一空，该公司需要新工厂来满足需求。
整体存储芯片市场料将处于一个稳步增长的轨道之上；NAND业务在一季度出现实质性的转折；预计传统DRAM市场将从下半年开始复苏；预计2024年资本开支将在一定程度上超过公司原来计划。
投资146亿美元扩产
由于HBM带来的巨大利润，SK海力士也马不停蹄地扩产。
据韩媒报道，SK海力士公司计划斥资约20万亿韩元（约146亿美元）在韩国建设新的存储芯片产能，这是一项重大产能扩张，旨在满足人工智能（AI）开发快速增长的需求。
SK海力士将拨出5.3万亿韩元的初始资金，4月底开始建设新的晶圆厂，工厂计划于2025年11月完工。SK海力士表示，随着未来的不断建设，该工厂的总投资将超过20万亿韩元。
4月19日，SK海力士宣布就下一代HBM产品生产和加强整合HBM与逻辑层的先进封装技术，将与台积电公司密切合作，双方签署了谅解备忘录（MOU）。SK海力士计划与台积电合作开发预计在2026年投产的HBM4，即第六代HBM产品。
4月初，SK海力士还曾宣布计划斥资38.7亿美元在印第安纳州兴建先进封装厂和人工智能产品研究中心，该工厂将专注于建造下一代HBM生产线，计划于2028年下半年开始量产。
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