出于对技术和市场的考量,不少企业将目光瞄准了近年来大火的第三代半导体。近日,日本Central Glass(中央玻璃公司)和美国Guerrilla RF(GUER)公司分别就SiC和GaN领域展开新动作。日本Central Glass液相法8英寸SiC晶圆项目新进展近日,Central Glass(中央玻璃公司)宣布公司“高质量8英寸SiC单晶/晶片制造技术开发”项目通过审查,被日本新能源和工业技术开发组织(NEDO)的视为绿色创新基金项目(项目期限为2022财年至2029财年)。

source:中央玻璃公司 据了解,自2022年4月起,中央玻璃公司就已经开始使用液相法研究和开发SiC晶圆。此次该项目转变为NEDO绿色创新基金资助项目预计将加速公司使用液相法开发高质量、成本竞争力的8英寸SiC单晶晶圆的研发,有助于公司大规模生产和实际应用世界级高质量的8英寸SiC晶圆。美国Guerrilla RF收购Gallium Semiconductor旗下GaN产品组合4月29日,美国射频公司Guerrilla RF(GUER)宣布公司最终完成了对Gallium Semiconductor旗下整个GaN功率放大器和前端模块产品组合的收购。

source:GUER 自2024年4月26日起,GUER就开始着手收购Gallium Semiconductor之前发布的所有组件以及正在开发中的新核心器件。此外,作为此次产品组合收购的一部分,所有相关的知识产权(IP)也已转移至GUER。通过整合这些资产,公司预期这将显著加强其开发和商业化针对无线基础设施、军事和卫星通信应用的新型GaN器件系列的能力。此外,Gallium Semiconductor设计中使用的GaN-on-SiC预计将在未来十年主导市场。GUER的首席执行官兼创始人Ryan Pratt评论道:“随着公司持续作为RFIC和MMIC供应商发展,将GaN技术整合到我们不断扩大的产品组合中至关重要。在此次收购之前,GUER已经在有机增长战略中推进GaN器件开发。Gallium Semiconductor产品组合的收购显著加快了这一战略计划。” Gallium Semiconductor的首席执行官Henk Thoonen表示:“将这些新产品融入Guerrilla RF的产品组合预计将快速且无阻碍。两家公司在GaN和GaAs产品上拥有共同的代工厂合作伙伴,并针对类似的应用和市场进行细分处理。GUER将继承一系列已发布和样品产品,包括晶体管到完全集成的不对称Doherty PAs。这些产品的最高额定功率范围从5W到400W,补充了Guerrilla RF现有的InGaP HBT和GaAs pHEMT放大器产品组合,后者适用于2W及以下的功率水平。”据了解,Guerrilla RF专注于开发和制造高性能单片微波集成电路(MMICs),服务于多个市场细分的无线OEM 。Guerrilla RF现有产品线包括超低噪声放大器、增益块、驱动放大器、混频器、射频开关、数字步进衰减器(DSAs)和线性功率放大器(PAs) 。

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