4月30日，苏州晶湛半导体有限公司（下文简称“晶湛半导体”）官微发文称，在比利时新鲁汶的爱因斯坦高科技园区，晶湛半导体和Incize于近日达成了一份战略合作备忘录，双方将在硅基氮化镓（GaN-on-Si）外延技术的建模、仿真和测试方面进行深入的战略合作。 据介绍，自2019年以来，晶湛半导体和Incize双方在GaN-on-Si外延的质量标准上一直保持着密切合作，合力提升GaN-on-Si外延品质以满足无线通信应用的苛刻需求。两家公司基于对合作成果的认可，决定正式建立合作伙伴关系，以进一步扩大和加强战略合作，将更多创新产品推向充满前景和活力的市场。 
source：晶湛半导体
晶湛半导体表示，随着外延技术的发展，GaN-on-Si通信器件取得了重大进展。然而，射频损耗是GaN-on-Si成为无线通信应用主流技术的重要瓶颈。晶湛半导体通过独有的缓冲层生长技术，大幅降低GaN-on-Si的射频损耗，使其Low Loss GaN产品达到与Trap-rich SOI相当的水准，为GaN-on-Si成为主流技术铺平道路。晶湛创始人兼CEO程凯博士表示:“晶湛半导体目前针对不同应用的GaN-on-Si外延材料，无论是在销售客户端、生产供应链还是技术开发端都取得了长足进步，其中无线通信应用是一个要求很高但前景广阔的市场，我们很高兴加强晶湛半导体和Incize之间现有的合作，也将进一步开展长期合作，推动下一代GaN-on-Si的发展。Incize拥有先进的测试设备、专业流程和建模团队资源，此次合作将为晶湛半导体提供在外延材料方面进行深度创新试验的机会。”公开资料显示，晶湛半导体成立于2012年，是一家 GaN 外延代工厂，为电力电子、无线应用和micro-LED应用的客户提供高质量的GaN外延材料解决方案。其产品包括GaN-on-Si、GaN-on-GaN和GaN-on-Sapphire，晶圆尺寸最大可达300mm。Incize成立于2014年，十年来的客户信任和自主创新使得公司从材料、设备、电路到系统层面，为高度动态的无线通信应用市场提供服务。高素质团队在无线通信材料和器件的模拟、测试和建模方面积累了丰富的经验。来源：晶湛半导体
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