半导体产业网讯：近日，武汉长飞先进半导体基地项目、江苏天科合达碳化硅晶片二期扩产项目、立研半导体常州产业基地项目、中宜创芯化硅半导体粉体500吨生产线项目等有新进展，详情如下：
首榀桁架吊装！
国内最大的SiC功率半导体制造基地迎新节点
近日，中建一局建设发展公司承建的国内最大的SiC功率半导体制造基地--武汉长飞先进半导体基地项目成功完成首榀桁架吊装，标志着项目钢结构施工全面展开，助力武汉打造世界级化合物半导体产业高地。
项目位于湖北省武汉市，总建筑面积约25.15万平方米，建成后预计年产6英寸碳化硅MOSFET及晶圆36万片，功率器件模块6100万个，将广泛覆盖新能源汽车、光伏、储能、充电桩、电力电网等领域。
总投资8.3亿元
江苏天科合达碳化硅晶片二期扩产项目即将竣工
5月4日，据“金龙湖发布”官微消息，“五一”期间，徐州经开区多个重点项目建设现场，全力推动项目建设跑出“加速度”。其中作为江苏省级重大产业项目江苏天科合达碳化硅晶片二期扩产项目正有序施工，全面保障进度。“我们将全力攻坚，力争早日完工，确保6月前完成调试，顺利交付。”林呈信心十足地说。
作为江苏省级重大产业项目，天科合达二期项目由中建一局一公司承建，总投资8.3亿元，建筑面积约5万平方米，包括标准化厂房、危化库、固体库等设施。新建碳化硅晶片衬底制备生产线，达产后可实现年产碳化硅衬底16万片，将为徐州经开区集成电路与ICT产业集群提供重要支撑。
总投资1亿美元
立研半导体项目签约江苏常州
4月29日，立研半导体常州产业基地启动暨半导体基金签约仪式举行。
据了解，该项目是2024年江苏省重大项目，计划总投资1亿美元，总用地面积75亩，新建生产厂房、综合楼、半导体产业研究院及附属用房等，计划2025年竣工交付，项目达产后将实现年销售收入10亿元。据悉，该项目目标产品为半导体先进制程和检测精密设备，项目达产后将每年形成360台的生产规模，其中，晶圆清洗及抛光设备120台、晶圆减薄研磨设备120台、晶圆检测设备120台。
立研半导体常州产业基地项目投资方日本立川技研株式会社是集研发制造、技术服务为一体的专业半导体先进制程和检测精密设备制造企业，成功研发出了一系列高精密半导体设备，目前，公司已与日本松下、京瓷、SONY等国际知名厂商保持深入合作，与华为、中芯国际、有研等国内知名企业院所也保持长期稳定的合作关系。
500吨碳化硅半导体粉体生产线成功达产
近日，河南中宜创芯发展有限公司碳化硅半导体粉体500吨生产线成功达产，产品纯度最高达到99.99999%，已在国内二十多家企业和研究机构开展试用和验证。
据悉，河南中宜创芯发展有限公司成立于2023年5月24日，由中国平煤神马控股集团和平顶山发展投资集团共同出资设立，总投资20亿元，分期建设年产2000吨碳化硅半导体粉体生产线。项目一期总投资6亿元，年产能500吨，占地12000平方，2023年6月20日开工建设，9月20日项目建成并试生产，9月30日首批产品出炉。预计达产后年产值5亿元，利税5000万元。
中宜创芯已与浙江大学杭州国际科创中心签订合作框架协议发挥双方优势，共同开展碳化硅半导体粉体行业标准制定、科技创新、成果转化、平台建设、人才培养等方面的合作，努力创造出更多成果。
（根据公开资料整理 仅供参考）
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