今日，市场上有消息传出，全球领先的DRAM供应商三星和SK海力士正全力加速高带宽内存（HBM）与主流的DDR5规格内存的生产。从下半年开始，这两家公司将停止供应DDR3利基型DRAM。据悉，三星已向客户通知，将在二季度末停止DDR3的生产；而SK海力士则早在去年底就将无锡工厂的DDR3制程转向DDR4，实质上已停止DDR3的供货。另一大巨头美光，为了扩大DDR5和高带宽内存的产能，也大幅削减了DDR3的供应量。$芯片ETF基金(SZ159599)$#利好存储芯片？传美光拟上调产品报价##英伟达采购三星HBM芯片，影响几何？#
在HBM领域，SK海力士首席执行官Kwak No-Jeong于5月2日在韩国研发中心主持的新闻发布会上宣布，预计明年生产的大部分HBM产品已被预订一空。他还透露，HBM3E 12-Hi产品样品将于下个月发布，并在第三季度开始量产。这距离SK海力士宣布2024年HBM内存生产配额售罄仅过去两个月。
竞争对手美光也不甘示弱，在2024财年第二财季财报会议上，总裁兼首席执行官Sanjay Mehrotra表示，公司2024年的HBM产能已售罄，2025年大部分产能也已分配完毕，预计HBM产品的出货量将在明年显著增长。
三大厂商在HBM产能上的竞争日趋激烈。需求端方面，随着生成式AI对AI算法复杂度和算力需求的激增，对AI芯片的内存处理和计算能力提出了极高要求。目前，搭载HBM的AI芯片已成为高端生成式AI市场的主流选择。在HBM、HBM2、HBM2E和HBM3的技术迭代中，HBM3E是人工智能应用中性能最佳的DRAM，也是第五代DRAM内存。供应端方面，目前HBM市场仅由SK海力士、三星、美光三家供应商占据，且产能有限，因此三大存储巨头都在积极扩产以满足市场需求。
（数据来源：Choice终端，东财基金整理，截至2024年5月13日）
此外市场消息还指出，英特尔、AMD等PC平台大厂计划在下半年推出的新处理器将全面支持DDR5规格DRAM。因此，三大国际内存芯片厂商在扩大高带宽内存产能的同时，也在冲刺DDR5市场，无暇顾及相对成熟的DDR3市场，开始逐步退出DDR3生产，以便腾出设备和产能全力投入DDR5及高带宽内存的生产。
国内存储公司在DDR3产品性能上已与国际厂商相当，在供给不足的情况下，国内存储产业链有望持续受益，将对未来存储市场格局产生深远影响。
自去年以来，存储市场特别是模组和芯片的价格显著上涨。设计类产品的价格上涨了约30%，而DRAM（包括DDR3、DDR4和DDR5）中的高级产品涨幅更大，主要应用于AI和嵌入式消费电子等领域。存储原厂端价格继续上调，据TrendForce数据，DRAM合约价在第二季度涨幅达13%-18%，NAND Flash合约价涨幅约15%-20%，但现货价增长动能不足。总体而言，随着终端需求的持续复苏，模组和芯片行业的价格趋势预计将保持稳定并有望继续增长。
（数据来源：TrendForce、Choice终端，东财基金整理，截至2024年5月13日）
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