半导体产业网获悉：近日，总投资50亿元的半导体封测总部项目签约和投资120亿元8英寸SiC功率器件芯片制造生产线项目两个重大半导体项目签约落地，详情如下：
投资50亿元，
半导体封测总部项目签约常州金坛
5月21日，总投资50亿元的半导体封测总部项目签约仪式在金坛举行。
该项目由制局半导体（江苏）有限公司投资建设，拟在华罗庚高新区新建公司总部，规划工业用地159亩，新建总建筑面积约12.5万平方米高标准半导体工厂及附属配套设施。项目一期用地59亩，总投资15亿元，建设HI-SiP模组研发中心、工程技术中心及半导体先进封测基地，以满足汽车电子、通讯电子、AI、医疗、航空航天领域先进封测和器件模组需求，计划于2024年开工建设，2026年上半年建成投产。项目二期用地100亩，总投资35亿元，建设高频微波、功率、宽禁带化合物半导体器件及模组制造基地，计划于2028年开工建设，2029年建成投产。项目达产后可实现年产值50亿元，税收3亿元以上。
总投资120亿元，
士兰微8英寸SiC功率器件芯片制造生产线项目签约落地厦门海沧
从士兰微官微获悉：5月21日，厦门市人民政府、厦门市海沧区人民政府与杭州士兰微电子股份有限公司在厦门共同签署了《战略合作框架协议》。按照协议约定，各方合作在厦门市海沧区建设一条以SiC-MOSEFET为主要产品的8英寸SiC功率器件芯片制造生产线。该项目分两期建设，项目一期投资规模70亿元，二期投资规模约50亿元，两期建设完成后，将在厦门市海沧区形成8英寸碳化硅功率器件芯片年产72万片的生产能力。
福建省委常委、厦门市委书记崔永辉，厦门市委副书记、市长黄文辉，厦门市委常委、海沧台商投资区党工委书记、海沧区委书记游文昌，厦门市委常委、副市长黄燕添等省、市、区领导及市区相关部门领导，杭州士兰微电子股份有限公司董事长陈向东、副董事长范伟宏及公司高管出席了本次签约仪式。
士兰微电子成立于1997年，2003年3月在上海证券交易所主板上市，已发展成为国内最具规模的综合型半导体设计与制造（IDM）企业之一。公司长期专注于发展硅半导体和化合物半导体芯片的设计、制造和封装业务，近些年，士兰微电子抓住产业发展机遇，加快国产芯片在汽车、工业、新能源、通讯、大型白电等高门槛市场的持续突破，保持了年营业额的持续增长。
本次合作是继士兰集科“12英寸特色工艺芯片生产线”和士兰明镓“先进化合物半导体器件生产线”两大重要项目后，士兰微电子落地厦门的第三个重要项目，是士兰微电子积极响应国家战略，加快发展汽车半导体关键芯片的重大举措。
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为了更好的推动新一代半导体晶体与应用的学术及产业交流，在第三代半导体产业技术创新战略联盟指导下，山东大学、晶体材料国家重点实验室、极智半导体产业网（www.casmita.com）、第三代半导体产业、山东华光光电子股份有限公司、山东中晶芯源半导体科技有限公司、山东大学新一代半导体材料研究院联合主办，北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司和广东南砂晶圆半导体技术有限公司共同承办的“新一代半导体晶体技术及应用大会”，将于 2024年6月21至23日在山东济南召开。点击了解详情
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