答：哈勃投资入股公司控股子公司鑫耀公司事宜，公司主要目的是为了加强与下游厂商的沟通与协作，有利于鑫耀公司产品质量的提升和推动其市场开拓工作，鑫耀公司将向哈勃投资关联方提供砷化镓及磷化铟衬底，并保障供应，对方则通过对相关产品的实际应用为鑫耀公司提供技术及产品验证上的反馈。
问：砷化镓、磷化铟的下游运用有哪些？
答：砷化镓、磷化铟均属于化合物半导体材料。目前磷化铟晶片（衬底）主要用于生产光模块中的激光器、探测器芯片，下游主要运用于5G通信/数据中心、可穿戴设备等；砷化镓晶片（衬底）主要用于射频器件产品、激光器件、传感器，常用高亮度发光二极管（HBLED）器件产品，下游可运用于手机及电脑、通信基站、无人驾驶、新一代显示（Mini LED、Micro LED）、工业激光、面容识别等领域。
问：公司砷化镓、磷化铟的产能情况如何？
答：截至目前，公司子公司云南鑫耀半导体材料有限公司砷化镓晶片产能为80万片/年（2—4英寸），磷化铟晶片产能为15万片/年（2—4英寸）。
问：化合物半导体行业竞争格局情况如何？
答：目前世界范围内，化合物半导体材料（衬底）主要集中于美、日等发达国家。在全球范围内以日本住友电气工业株式会社、JX日矿日石金属株式会社、德国费里伯格化合物材料公司等国际知名企业从事化合物半导体材料生产、销售。上述企业均拥有较强的研发能力、技术储备、销售渠道和市场声誉。近年来，国内化合物半导体行业发展速度明显加快。随着5G通信、光通信、无人驾驶、人工智能、可穿戴设备等领域的发展，化合物半导体材料市场规模将逐步扩大。
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