从锡东新城公号获悉：6月5日，在北京昕感科技有限公司总部，在锡山区委书记方力与昕感科技董事长王哲共同见证下，第三代半导体功率模块研发生产基地项目签约落户锡东新城。
昕感科技聚焦于第三代半导体碳化硅功率器件、模块、模组产品的创新突破与研发生产，致力于成为国内领先和具有国际影响力的功率半导体变革引领者。此次签约的项目总投资超10亿元，主要建设车规级第三代半导体功率模块封装产线，可同时覆盖汽车主驱、超充桩、光伏、工业等应用场景。项目预计2025年投产，实现满产产能约129万只/年，产值超15亿元/年。
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昕感科技再添战略股东，
发布SiC MOSFET新品、在建项目今年投产
5月11日，昕感科技官宣完成京能集团旗下北京京能能源科技并购投资基金战略入股。
昕感科技聚焦于第三代半导体SiC功率器件和功率模块的技术突破创新与产品研发生产。昕感科技SiC MOSFET累计出货客户百余家，产品可广泛应用于光伏储能、新能源汽车、工业控制等领域。
昕感科技公司是国内为数不多可进行6英寸晶圆特色工艺生产的IDM厂商。昕感科技已在650V、1200V、1700V等电压平台上完成数十款SiC器件和模块产品量产，部分产品已通过AEC-Q101车规级可靠性认证。其中，1200V SiC MOSFET产品具有80m、40m、21m、13m、7m等导通电阻规格，模块产品对标EasyPACK、62mm、EconoDUAL等封装形式。
·超10亿元！昕感科技6吋功率半导体厂房项目全面封顶
今年1月30日，昕感科技6英寸功率半导体制造项目封顶活动在江苏江阴高新区举行。该项目自2023年8月8日启动，总计投资超10亿元。
昕感科技江阴功率半导体制造工厂一期建设厂房，总建筑面积超4.5万平，核心生产无尘室面积达1万平，包括主FAB厂房（分二期建设完成），以及CUB动力站、甲/乙类库、供氢站等配套设施。届时将引进I-line光刻机、刻蚀机台、UV贴膜机、氧化炉、高温注入机等各类生产设备，将全力打造国内专业功率半导体生产的制造基地。
据人民网4月29日报道，江苏昕感科技有限责任公司6英寸功率半导体制造基地近日进入采购设备和调试阶段。这片厂房的主体结构已于今年初全面封顶，计划年底前正式投产。
·昕感科技发布SiC MOSFET新品
昕感科技发布一款兼容15V栅压驱动的1200V低导通电阻SiC MOSFET产品N2M120013PP0，导通电阻在15V栅压下低至13m，配合低热阻TO-247-4L Plus封装，可以有效提升电流能力，满足客户的大功率应用需求。
推出兼容15V栅压驱动的低导通电阻SiC MOSFET新产品，标志着昕感科技在大电流低导通电阻产品和技术研发方面取得新的突破，进一步加速推动新能源领域中功率器件的国产化进程。 
N2M120013PP0产品导通特性及阻断特性
昕感科技1200V/13m SiC MOSFET产品推荐使用-3/+15V驱动栅压，满足IGBT应用电路中的+15V驱动要求，便于电力电子系统更新换代。同时，降低栅极电压可以缓解栅极电应力，提升器件的可靠性。
N2M120013PP0产品阈值电压-温度曲线
昕感科技通过器件结构的综合优化设计，实现15V栅压驱动和高阈值电压的双重突破。新产品在25℃室温下阈值电压可达3.3V，在175℃高温下仍可达2.4V。高阈值电压特性能够有效降低应用中的误开启概率，避免应用端器件和系统失效。
昕感科技已在650V、1200V、1700V等电压平台上完成数十款SiC器件和模块产品量产，部分产品已通过AEC-Q101车规级可靠性认证。其中，1200V SiC MOSFET产品具有80m、40m、21m、13m、7m等导通电阻规格，模块产品对标EasyPACK、62mm、EconoDUAL等封装形式。本文作者可以追加内容哦 !
