横向GaN由生长在衬底的外延层 GaN/AlGaN 组成。各外延层之间会不可避免的产生缺陷。当关态电压高时这些缺陷会被高电场激活而形成等效栅极（Virtual Gate）。被陷阱捕获的电荷限制了沟道的完全打开，此部分未完全打开的沟道即是动态电阻突变的来源。

1200V硅基氮化镓发明后，量芯微GaNPower经历了几代技术升级。最新的产品使用 All GaN 技术（已申请专利）实现1200V的重大突破。

图2  静态耐压在0-1400V之间的Id-Vds曲线

图3  双脉冲实验的实验环境、测试条件

图4  测试相关数据

图5  测试波形

索样请联系：程喆16651199555（）

[1]US patent 11,107,755 B2, Li et al,"Packging for lateral High Voltage GaN Power Devices."

关于苏州量芯微电子有限公司

苏州量芯微电子有限公司（GaNPower）位于中国苏州，量芯微GaNPower是全球氮化镓功率器件行业的知名公司，目前产品主要为涵盖不同电流等级及封装形式的650V、900V和1200V增强型氮化镓功率器件及氮化镓基电力电子先进应用解决方案。


  



追加内容

本文作者可以追加内容哦 !