截至2024年Q2，存储行业仍在上行周期，整条产业链生机勃勃。在多重因素的影响下，存储芯片下半年的价格将如何演变，存储技术的未来又指向何方？
过去三个季度，存储行业的表现不负众望。从去年Q3起，存储芯片价格下跌幅度收窄，Q4部分存储产品合约价上升，2024年Q1存储产品全面复苏，截至2024年Q2，存储行业仍在上行周期，整条产业链生机勃勃。
存储芯片的周期性非常强，技术创新和产品迭代、产能扩张和收缩、下游应用需求变化，都会导致芯片价格波动。存储原厂为了抓住市场机会，需针对性地进行布局。在多重因素的影响下，存储芯片的价格将如何演变，存储技术的未来又指向何方？
2024年下半年存储芯片的价格走向
由于存储芯片价格连连下跌，2023年几大存储原厂出现集体亏损，亏损预估达破纪录的50亿美元。Gartner报告显示，2023年全球存储器市场规模下降37%，成为半导体市场中下降最大的细分领域。
在存储市场供过于求，上游出现库存积压时，存储原厂可通过降价、减产等手段来调控存库存水位。减产和降价是一套组合拳，每当销售价格接近生产成本时，原厂会加大减产力度，直至带动存储芯片价格上涨。
2022年Q4起，铠侠、美光科技、SK海力士、西部数据等存储大厂陆续启动减产、调整供给的举措。紧接着，2023年上半年三星也加入了减产的行列，到去年9月，其NAND Flash的产量削减至总产能的50%，这主要集中在128层堆叠以下产品。
在存储原厂共同的努力下，NAND Flash(闪存)和DRAM(内存)的合约价分别于去年Q3和Q4止跌。到今年Q1全线存储产品已经复苏，DRAM合约价格上涨20%，NAND涨幅达23%-28%。市调机构TrendForce先前预计，DRAM在今年Q2会小幅上涨3%-8%，NAND上涨13%-18%，但在5月上旬又修正了Q2的数据，DRAM预计上涨13%-18%，NAND预计上涨15%-20%。
该机构还指出，今年4月3日的“花莲地震”是一个转折点。震前，DRAM和NAND上涨动力稍显不足，其现货价格和交易量均已持续走低。但震后，PC厂商开始接受DRAM、NAND合约价的大涨价，一直到今年4月底，新一轮合约价谈判陆续完成，其价格涨幅超过预期。
2024年下半年，存储芯片的价格走向将如何？因为闪存原厂在前年和去年急速减产闪存价格在2024年下半年可能会拉得很高。但未曾想该趋势在今年上半年就开始浮现，他在今年3月下旬针对这一预测补充表示，闪存的涨势在今年下半年会稍微平缓，然后整体涨势可能持续到明年Q1-Q2。而影响内存的变数比较多，预计今年下半年涨势可能放缓，主要看AI移到终端的速度是否够快。
高性能SSD可以减少内存的用量，但这不会在今年下半年马上发生，所以内存的需求量依旧比较大，内存的涨价趋势完全看AI在手机、PC上是否有取得巨大成功。
存储需求“回春”拉动新周期
除了供应端调整库存的措施之外，需求端的“回春”也在拉动新周期到来。犹记得，新冠疫情初期的在线学习/办公需求，推动了移动上网设备的销售量，到如今这些设备已经陆续进入换机周期。
2023年Q4，全球个人电脑和智能手机销量结束了持续下跌的趋势。Canalys数据显示：2023年Q4，个人电脑出货量同比增长3%，智能手机出货量同比增长8%；2024年Q1，台式机和笔记本电脑的总出货量增长3.2%，智能手机出货量同比增长11%。智能手机、个人电脑销量的增加，一定程度上推动了对存储的需求。
HBM(高带宽存储器)的走红也是一个积极因素。由于HBM支持GPU与CPU之间的高速数据传输，其应用场景集中在高性能服务器的GPU显存，小部分应用于CPU内存芯片。去年上半年，HBM则乘着GPU的东风狂涨500%。但因HBM技术门槛高，出货量到现在也不算大。从HBM竞争格局来看，SK海力士和三星的优势明显——SK海力士约占50%份额，三星约占40%的份额，美光占比不足10%。
AI技术在数据中心领域落地一年多后，开始下沉到边缘和终端设备中。高通在去年10月发布了第三代骁龙8平台，支持终端侧运行100亿参数的模型，联发科去年11月发布了天玑9300，支持10亿至330亿参数的AI大模型。这两款芯片面向70亿参数大语言模型的端侧推理，均可以做到每秒20 token(自然语言模型处理文本的最小单位)，可实现AI即时同传翻译、AI整理笔记、AI智能通话、图像AIGC消除、闪速抠图等功能。
中国闪存市场总经理邰炜指出，2024年的手机平均容量将超过200GB，内存也朝更高性能的LPDDR5x演进，今年手机DRAM的平均容量在7GB以上。观察市场现有AI手机的存储容量，vivoX90系列的内存为8GB、12GB，闪存最高为512GB，X100系列的内存提升至12GB、16GB，闪存最高为1TB；OPPO Find X7系列和OPPO Find X6系列的内存均为12GB、16GB两种规格，但前者的闪存最高达1TB，后者闪存最高为512GB；三星Galaxy S23系列内存为8GB，三星Galaxy S24系列内存有8GB、12GB两个规格。从整体来看，无论是内存还是闪存，AI手机的存储容量都在加大。
AI也是个人PC市场的新引擎，AI PC嵌入了AI芯片且支持本地化AI模型，需要更快的数据传输速度、更大的存储容量和带宽，32G LPDDR5x和1TB PCIe 4.0 SSD将迎来较好的应用。
以上与AI相关的应用场景，均能推动更多的存储需求，它们是存储厂商关注的重点。比如，考虑到芯片内大语言模型的需求，三星正在研发一款采用UFS 4.0技术的新产品，其通道数量将从2路提升至4路，顺序读取速度将达8GB/s，新品预计在2025年实现量产。另外，JEDEC(固态技术协会)将在今年Q3最终确定LPDDR6内存规格，将提升低功耗设备性能，三星和SK海力士有望率先量产LPDDR6产品。
存储技术未来的发展方向
据中国闪存市场的预测，存储行业受益于行业回暖，先进技术和新兴市场应用等因素的推动，预计2024年存储市场规模至少将提升42%。在存储总产量上，NAND Flash将超过8,000亿GB当量，较去年增长20%；DRAM将达到2,370亿GB当量，预计增长15%。
随着去年Q3存储行业迎来拐点，存储原厂的利润率也在逐渐得到改善，SK海力士在去年Q4就已经恢复盈利。从上市企业2024年Q1季报中，可以看到许多存储企业的业绩大增，企业利润率也得到了相应提升。与此同时，存储原厂也在发力高利润产品线，积极推进新技术的发展。本文聚焦DRAM和NAND Flash这两类产品。
（1）NAND升级方向：扩展容量和降低成本
NAND Flash主要朝着扩展容量和降低成本两个方向发展。而市场对闪存容量的追求，可细分为纵向扩容、逻辑扩容、横向扩容。
纵向扩容体现在存储原厂发力更高堆叠的产品，大家正朝着300层NAND推进。代表厂商包括三星、美光、西部数据、铠侠、长江存储、SK海力士等。
从SLC、MLC、TLC、QLC到PLC的演进是逻辑扩容，每个单元存储的数据越来越大，以便SSD可保存更多的数据。生成式AI推动服务器存储需求激增，2024年QLC闪存的商用进度加快，比如三星128TB原型SSD基于QLC打造。
横向扩容在每一层增加了更多的存储容量。这增加了每一层的孔隙的密度，以达到更大单位比特的容量，是探讨未来新技术、新制程时候要关注的方向。
闪存堆叠层数的增加也推动混合键合(Hybrid Bonding)技术成为主流架构，混合键合主要有两种使用方式：第一种是晶圆到晶圆，用于CIS和NAND；另一种是裸片到晶圆混合键合，对于HBM很有意义。具体操作是优化周边的逻辑电路和存储单元之间的分布关系，比如从CNA和CUA到CBA(外围电路直接键合到存储阵列)，未来可能还有多层键合的场景。
（2）第六代1c制程DRAM即将量产
DRAM进入到10nm制程时代以来，已从1x、1y、1z、1演进到1(第五代)。三星、SK海力士、美光在去年完成了1的研发，现在正陆续量产1 DRAM产品。此外，被寄予厚望的三星第六代1c 制程的DRAM也将于1至2年内量产。
2023年AI服务器迅猛增长也带动HBM、DDR5需求增加。各大原厂为了满足市场需求，正加快先进DRAM产品推出速度。随着支持DDR5第二子代内存产品的主流服务器CPU上市，今年下半年5,600 MT/S速率将进入主流市场。
AI服务器也推动了128GB/256GB内存模组的需求，这些高容量模组又受限于封测厂的TSV产能。所幸的是，存储原厂将在今年内推出32Gb单Die，使得128GB内存模组无需采用TSV工艺，将推动128GB产品进入服务器主流市场。此外，今年上半年CXL进入了实用阶段、HBM3e开始量产，这也将推动服务器内存大升级。
、小结
除了AI相关的应用之外，汽车也是推动存储需求的主力应用。伴随L3及以上级别自动汽车商用，对车规存储的性能和容量要求也更大，单车存储容量很快将进入TB时代。
AI市场也会下沉到汽车中，对车规存储也提出更严格的要求。智能手机、个人电脑、服务器、电动汽车……只要是AI能够触达的应用场景，都将能看到更多新形态的存储产品。
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BY：拍明芯城
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