6月11-13日,全球最大的功率半导体展会——PCIM Europe 2024在德国纽伦堡盛大开启。基本半导体再度亮相展会,并正式发布2000V/1700V系列高压碳化硅MOSFET、车规级碳化硅MOSFET、第三代碳化硅MOSFET、工业级碳化硅功率模块PcoreTM2 E2B等系列新品,向世界展示了中国功率器件创“芯”与“智“造的最新成果,吸引了海内外行业人士的驻足参观与深入交流。

基本半导体此次发布的新品主要涵盖分立器件功率模块两大单元,新产品性能大幅提升,产品规格和应用范围也更加丰富,并在产品封装上进行了大胆拓新,产品可广泛应用于新能源汽车、直流快充、光伏储能、工业电源、通信电源等领域,为行业实现更高能源效率和应用可靠性增添助力。

1、2000V/1700V高压碳化硅MOSFET

为满足光伏储能领域高电压、大功率的应用需求,基本半导体基于第二代SiC MOSFET技术平台开发推出了2000V 24m、1700V 600m高压系列碳化硅MOSFET,产品具有低导通电阻、低导通损耗、低开关损耗、支持更高开关频率运行等特点。

其中,1700V 600m碳化硅MOSFET可适配于组串式光伏逆变器和储能系统辅助电源的反激开关拓扑中,在提高辅助电源效率的同时,使辅助电源更安全可靠运行。

2、1200V 18m 碳化硅MOSFET

为满足电机驱动、储能系统、大功率充电桩等领域的大功率应用需求,基本半导体研发推出了1200V 18m 碳化硅MOSFET B2M018120Z,产品具有低导通电阻、低导通损耗、低开关损耗、支持更高开关频率运行等特点,可通过开尔文连接驱动,降低驱动回路的杂散电感。

3、车规级碳化硅MOSFET

针对新能源汽车的应用需求,基本半导体研发推出符合AEC-Q101认证和PPAP要求的1200V 80m和40m 的碳化硅MOSFET,可主要应用在车载充电机及汽车空调压缩机驱动中。

4、第三代碳化硅MOSFET

B3M040120H/Z是基本半导体基于第三代碳化硅MOSFET技术平台开发的最新产品,该系列产品进一步优化钝化层,提升可靠性,相对于上一代产品在比导通电阻、开关损耗以及可靠性方面有更进一步提升。

5、工业级碳化硅功率模块PcoreTM2 E2B

MF240R12E2G3是基于PcoreTM2 E2B封装的1200V 5.5m工业级全碳化硅半桥功率模块,产品采用集成的NTC温度传感器、Press-Fit压接技术以及高封装可靠性的氮化硅AMB陶瓷基板,在导通电阻、开关损耗、抗误导通、抗双极性退化等方面表现出色。

6、工业级碳化硅半桥顶部散热MOSFET模块

B2M040120T和B2M080120T是基本半导体基于第二代碳化硅MOSFET技术开发的顶部散热内绝缘的塑封半桥模块,主要应用于OBC、空调压缩机和工业电源中。

7、双通道隔离驱动芯片BTD25350系列

基本半导体推出可支持米勒钳位的双通道隔离驱动芯片BTD25350系列,此驱动芯片专为碳化硅MOSFET门极驱动设计,可高效可靠抑制碳化硅MOSFET的误开通,还可用于驱动MOSFET、IGBT等功率器件。


直击现场

PCIM Europe 2024 以电力电子、智能运动、可再生能源和能源管理四大主题为核心,涵盖从半导体、元器件及传感器,到电机和整流器,再到电源管理系统,模拟和设计软件的电力电子行业全链条,全方位展示电力电子领域的最新技术成果和创新产品。展会有超过600家品牌参展,参观人次超16000人。

PCIM Europe 2024展会圆满举办,基本半导体再度续写辉煌,展会现场人流涌动,洽谈不断,战果喜人。感谢广大海内外新老客户对基本半导体的信任与支持,我们将继续深耕碳化硅功率器件领域,通过不断的技术创新和产品升级,为全球客户提供更高性能、更可靠的产品,打造享誉世界的功率半导体品牌,为中国“智”造添砖加瓦!

关于基本半导体

深圳基本半导体有限公司是中国第三代半导体创新企业,专业从事碳化硅功率器件的研发与产业化。公司总部位于深圳,在北京、上海、无锡、香港以及日本名古屋设有研发中心和制造基地。公司拥有一支国际化的研发团队,核心成员包括二十余位来自清华大学、中国科学院、英国剑桥大学、德国亚琛工业大学、瑞士联邦理工学院等国内外知名高校及研究机构的博士。

基本半导体掌握碳化硅核心技术,研发覆盖碳化硅功率半导体的材料制备、芯片设计、晶圆制造、封装测试、驱动应用等产业链关键环节,拥有知识产权两百余项,核心产品包括碳化硅二极管和MOSFET芯片、汽车级碳化硅功率模块、功率器件驱动芯片等,性能达到国际先进水平,服务于光伏储能、电动汽车、轨道交通、工业控制、智能电网等领域的全球数百家客户。

基本半导体是国家级专精特新“小巨人”企业,承担了国家工信部、科技部及广东省、深圳市的数十项研发及产业化项目,与深圳清华大学研究院共建第三代半导体材料与器件研发中心,是国家5G中高频器件创新中心股东单位之一,获批中国科协产学研融合技术创新服务体系第三代半导体协同创新中心、广东省第三代半导体碳化硅功率器件工程技术研究中心。

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