解决卡脖子问题估值150亿合理，镀膜设备作为芯片制造过程中核心的三大设备(光刻、

从目前公开的DRAM（内存）技术来看，业界认为，3D DRAM是DRAM技术困局的破解方法之一，是未来内存市场的重要发展方向。

3D DRAM与3D NAND是否异曲同工？如何解决尺寸限制等行业技术痛点？大厂布局情况？

如何理解3D DRAM？

DRAM（内存）单元电路是由一个晶体管和一个电容器组成，其中，晶体管负责传输电流，使信息（位）能够被写入或读取，电容器则用于存储位。DRAM广泛应用于现代计算机、显卡、便携式设备和游戏机等需要低成本和高容量内存的数字电子设备。

DRAM开发主要通过减小电路线宽来提高集成度，但随着线宽进入10nm范围，电容器电流泄漏和干扰等物理限制显著增加，为了防止这种情况，业界引入了高介电常数（高K）沉积材料和极紫外（EUV）设备等新材料和设备。但从芯片制造商角度上看，微型化制造10nm或更先进的芯片仍是目前技术研发的巨大挑战。此外，近期尤其是2nm及以下制程的先进制程角逐战异常激烈。

在技术节点不断更新迭代以及芯片整体面积不断缩小的情况下，半导体业界将目光看向NAND的技术演变，为了克服尺寸限制，将晶体管从平面转换为3D架构，以提高单位面积的存储单元数量，由此3D DRAM的架构设想正式面向公众视野。通俗来讲，传统DRAM的结构是晶体管集成在一个平面上，3D DRAM则将晶体管堆叠为n层，从而分散晶体管。业界称，采用3D DRAM结构可以扩大晶体管之间的间隙，减少泄漏电流和干扰等。

从原理上理解，3D DRAM技术打破了内存技术陈旧的范式，它其实是一种将存储单元（Cell）堆叠至逻辑单元上方的新型存储方式，以在单位晶圆面积上实现更高的容量。

从差异性上看，传统的DRAM在读取和写入数据时需要经过复杂的操作流程，而3D DRAM可直接通过垂直堆叠的存储单元读取和写入数据，极大地提高了访问速度。3D DRAM优势不仅在于大容量、数据访问速度快，同时还具有低功耗、高可靠性等特点，满足各种应用场景需要。

从应用领域上看，3D DRAM具备高速度和大容量，将有助于提升高性能计算的效率和性能；3D DRAM因具有小巧体积和大容量的特点，成为移动设备的理想内存解决方案；3D DRAM的大容量和低功耗特性可满足物联网领域实时处理和传输数据的需求。

此外，自ChatGPT开启了AI大浪潮时代，AI应用技术爆火，AI服务器有望成为存储需求长期增长的强劲驱动力。据美光测算，AI服务器中DRAM数量是传统服务器的8倍，NAND是传统的3倍。

业界持续发力3D DRAM

DRAM市场高度集中，目前主要由三星电子、SK海力士和美光科技等厂商主导，值得一提的是，这三家共同占据了DRAM整个市场的93%以上。