据港交所6月12日披露，英诺赛科(苏州)科技股份有限公司向港交所主板提交上市申请，中金公司、招银国际担任联席保荐人。#半导体板块大涨，抄底机会？#
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据招股书，英诺赛科是全球功率半导体革命的领导者，致力于氮化镓功率半导体行业及生态系统的创新。公司是全球首家实现量产8英吋硅基氮化镓晶圆的公司，亦是全球唯一具备产业规模提供全电压谱系的硅基氮化镓半导体产品的公司。根据弗若斯特沙利文的资料，按收入计，公司于2023年在全球所有氮化镓功率半导体公司中排名第一。
可再生能源和运算密集型应用的兴起一直在改变世界，该趋势导致对更高效更具经济效益的功率半导体产品的需求激增。氮化镓是一种具有高频率和低导通电阻的宽带隙半导体材料，已成为功率半导体行业持续变革的核心。
英诺赛科表示，凭借公司不懈的创新和无可比拟的技术领先地位，公司设计、开发及生产若干类型的氮化镓产品，包括分立器件、集成电路、晶圆及模块。公司在广泛领域（包括消费电子、可再生能源及工业应用、汽车电子及数据中心）为客户赋能。
英诺赛科的IDM模式让公司能够对设计、制造到测试的整个过程进行自主控制。通过统一营运架构，IDM模式提供无与伦比的协调及协同作用，同时确保公司功率半导体产品的质量。其提供稳定的生产能力，通过协同设计和工艺迭代实现快速创新，并支持有成本效益的扩张。通过控制整个运营过程，IDM模式使公司能够先于竞争对手快速了解并解决与产品应用相关的痛点，从而增强公司的先发优势。
截至2023年12月31日，英诺赛科拥有全球最大的氮化镓功率半导体生产基地，产能达到每月10,000片晶圆。该能力使公司能够以稳定的供应抓住不断增长的市场机会，从而培养客户的信心。相较于6英吋硅基氮化镓晶圆，公司先进的量产技术亦使晶圆晶粒产出数增加80%，单一器件成本降低30%，展示公司在氮化镓产品持续创新及商业化方面的强大成本优势和领导地位。
招股书显示，英诺赛科不懈的创新和无可比拟的技术领导地位巩固了公司在氮化镓半导体行业的领先地位。通过长期致力于研发，公司在8英吋硅基氮化镓工艺技术方面占据市场领先地位。截至2023年12月31日，公司在全球有约700项专利及专利申请，涵盖芯片设计、器件结构、晶圆制造、封装及可靠性测试等关键领域。
公司通过与多个行业的知名客户紧密合作，率先推出创新产品并提供独特价值，率先扩大了氮化镓产品的应用范围。凭借公司在氮化镓技术方面的全面专业知识，公司设计、开发及制造提供不同封装选择的高性能及可靠的氮化镓分立器件，用于各种低中高压应用场景，产品研发范围覆盖15V至1,200V。
根据弗若斯特沙利文的资料，英诺赛科是氮化镓功率半导体产品的全球领导者，2023年的收入为人民币5.93亿元，占氮化镓功率半导体行业市场份额的33.7%。
截至2023年12月31日，以折算氮化镓分立器件计，公司的累计出货量超过5亿颗。公司的氮化镓产品在各应用领域获得客户的认可，使公司于往绩记录期间实现强劲的收入增长。公司的收入主要来自氮化镓分立器件及氮化镓集成电路、氮化镓晶圆及氮化镓模块的销售。
公司的收入由2021年的人民币6820万元增加99.7%至2022年的人民币1.36亿元，并进一步增加335.2%至2023年的人民币5.93亿元。于2021年、2022年及2023年，公司的净亏损分别为人民币33.99亿元、人民币22.06亿元及人民币11.02亿元。公司的经调整净亏损（非香港财务报告准则计量）通过加回就发行予投资者的金融工具确认的负债账面值变动及以权益结算以股份为基础的付款开支进行调整，于2021年、2022年及2023年分别为人民币10.81亿元、人民币12.77亿元及人民币10.16亿元。
英诺赛科亏损主要是由于在实现规模经济前生产设备大幅折旧；于往绩记录期间确认的大额研发开支；及于往绩记录期间销售及营销开支不断增加。往绩记录期间产生的净亏损反映公司对增长、技术提升及产品组合扩展的战略重点，当中所有均为长期获利能力建立基础。
公司的氮化镓产品有不同的产品形态，遍及全产业价值链，包括氮化镓晶圆、氮化镓分立器件、氮化镓集成电路(GaNIC)及氮化镓模块，显示出公司为不同行业的客户（包括消费电子、可再生能源及工业应用、汽车电子及数据中心）提供定制的氮化镓解决方案的能力。
于往绩记录期间，公司的产品主要在中国内地销售。随着公司开始拓展境外，于2023年，公司的境外销售收入达到人民币5800万元，占同期总收入的9.8%。
英诺赛科经营所处的功率半导体行业竞争激烈，其特点是技术快速发展、客户需求和偏好迅速变化、新产品和服务频繁推出，以及新行业标准和实践不断出现。此外，根据弗若斯特沙利文的资料，全球功率半导体行业高度集中，前十家公司的市场份额合计为66.9%。
公司提供广泛的氮化镓解决方案，包括晶圆、分立器件、集成电路及模块。凭借公司在氮化镓技术方面的全面专业知识，公司设计、开发及制造提供不同封装选择的高性能及可靠的氮化镓分立器件，用于各种低中高压应用场景，产品研发范围覆盖15V至1,200V。
公司与氮化镓功率半导体解决方案提供者以及提供基于替代半导体材料的解决方案的市场参与者竞争。与无晶圆厂芯片设计公司的竞争对公司的资本投资及技术实力构成挑战，同时突显公司作为IDM的优势，如协同设计及制造整合、确保产能及供应链稳定性、生产成本的规模经济以及持续提升工艺及技术。同时，在对高能效材料不断增长的需求、较低的解决方案成本及支持性政策的推动下，氮化镓材料有望在下游应用中激增。
根据弗若斯特沙利文的资料，按收入计，公司于2023年在全球所有氮化镓功率半导体公司中排名第一，按收入计市场份额为33.7%。凭借提供无与伦比的协调及协同效应的IDM模式、公司独特且优秀的技术以及产业规模的商业化能力，公司相信公司已做好充分准备，在行业竞争中脱颖而出，并保持在氮化镓功率半导体行业的最前沿。
自2017年成立以来，英诺赛科致力于建立量产能力及投资核心技术的研发，为抓住蓬勃发展的氮化镓功率半导体产业的机遇打下基础。因此，于2021年至2023年期间，随着扩大公司的产能及产品供应，以及核心技术的成熟，公司开始受惠于规模经济，收入大幅增长。
据英诺赛科官网资料，其投资者包括招银国际$招商银行(SH600036)$、韩企SK集团、Arm$Arm Holdings plc ADR(NASDAQ|ARM)$、宁德时代$宁德时代(SZ300750)$等世界级投资方。
根据天眼查资料显示，英诺赛科其他投资者可能还包括东方国资、珠海高新投、华业天成资本、中平资本、国民创投、钛信资本、永刚集团、毅达资本、仕富资本、中天汇富、盛裕资本、富坤创投、高鹏资本、金地投资、东科半导体、赛领资本、兴湘集团、海富产业基金、海通创新证券、中国-比利时直接股权投资基金等。
英诺赛科本次香港IPO募资金额将主要用于产能扩充及产品研发：一方面，英诺赛科拟将50%的募资资金用于扩大8英寸氮化镓晶圆产能，计划从截至2023年12月31日的每月1万片晶圆扩大至未来5年每月7万片晶圆，同时购买相应的生产设备及招聘生产人员，以满足生产线运行需求。
另一方面，英诺赛科拟将15%的募资资金用于研发和扩大氮化镓产品组合，通过招聘研发人员和推出新产品，进一步提高终端市场中氮化镓产品的渗透率。此外，英诺赛科还计划将募集资金用于扩大分销网络、营运投入等用途。
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