6月18日，年产36万片碳化硅晶圆的长飞先进武汉基地正式迎来主体结构封顶的关键时刻！
长飞先进武汉基地主要聚焦于第三代半导体功率器件研发与生产，致力于打造一个集芯片设计、制造及先进技术研发于一体的现代化半导体制造基地。项目总投资预计超过200亿元，占地面积约22.94万㎡，建筑面积约30.15万㎡，主要建设内容包括晶圆制造厂房、封装厂房、外延厂房、动力厂房、成品库、综合办公楼、员工宿舍以及生产配套用房设施等。
自2023年9月1日正式动工以来，按照“安全第一、质量第一、速度第一”三大原则，武汉基地历经近300个日夜奋战终于完成主体结构封顶。接下来，项目将进入塔楼内部装修及裙楼主体结构施工阶段，预计明年7月量产通线。项目投产后可年产36万片碳化硅晶圆及外延、6100万个功率器件模块，广泛应用于新能源汽车、光伏、储能、充电桩等领域。
武汉基地是长飞先进发展战略中至关重要的一环，项目的顺利封顶标志着长飞先进三大基地——芜湖基地、上海技术中心、武汉基地布局初步形成。不仅如此，对行业而言，项目建成后，还将吸引并带动更多化合物半导体产业链上下游企业聚集、交流与协作，加快构建更加完善的碳化硅产业生态。
》战略发布，长飞先进扬帆起航《
2023年5月22日，安徽长飞先进半导体在完成兼并收购一周年之际，于安徽芜湖隆重举办了以“飞扬”为主题的首届战略发布会。
长飞先进引进了近百名拥有半导体国际大厂背景的核心团队成员，核心团队成员平均15年以上行业从业经验，并成功实现由“Foundry”到“IDM+Foundry”的业务转型，建立了系统的产品开发、产品管理、业务拓展能力，打造了完整的650v-3300V SiC产品矩阵，实现了从光伏、储能、充电桩到新能源汽车等应用领域的全覆盖，同时进一步完善了专业的SiC晶圆代工服务体系，为客户提供更高质量、更全面的产品代工服务。
长飞先进总裁陈重国明确提出“All in SiC-十年黄金赛道”的发展战略，致力于成为“世界领先的宽禁带半导体”公司！
2024年6月21至23日，“新一代半导体晶体技术及应用大会”将在山东-济南融创国际会议中心召开。目前，大会最新安排及报告嘉宾详细日程出炉！将邀请新一代半导体领域相关高校院所专家和知名企业代表出席，共同研讨新一代半导体晶体技术进展及未来发展趋势，分享前沿研究成果，携手助力我国新一代半导体晶体技术进步和产业发展。目前最新日程公布，点击查看详情。
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