近日，上海瞻芯电子科技股份有限公司（简称“瞻芯电子”）基于第三代工艺平台开发的 1200V 13.5m SiC MOSFET产品（IV3Q12013T4Z）通过了车规级可靠性(AEC-Q101)测试认证；同时，瞻芯电子 第三代1200V SiC MOSFET工艺平台正式 量产 ，后续将依托浙江义乌的车规级碳化硅(SiC)晶圆厂推出更多第三代SiC MOSFET产品。
瞻芯电子的第三代1200V 13.5m SiC MOSFET，现有3款产品：IV3Q12013T4Z，IV3Q12013BA，IV3Q12013BD，主要用于车载电驱动系统，凭借出色的性能表现，已获得多家车载电驱动客户的项目定点。
01.
瞻芯电子第三代1200V SiC MOSFET特性
第三代1200V SiC MOSFET仍为平面栅型MOSFET，相比第二代工艺，元胞的Pitch缩小了超过20%。
同时在核心指标上， 第三代产品在保证器件的耐压和短路能力的前提下，将比导通电阻Rsp降低至2.5m*cm ，达到国际第一梯队的水平。同时，第三代产品的开关损耗，对比第二代产品进一步降低30%以上。
而且，第三代产品的导通电阻Rds(on)的温度系数明显降低，在高温运行情况下，导通电阻增加较少。如下图所示，当Vgs=15V应用时，175C时的Rds(on)对比25C时的Rds(on)只有1.42倍；当Vgs=18V应用时，175C时的Rds(on)对比25C时的Rds(on)只有1.65倍。
在可靠性方面， 首款产品IV3Q12013T4Z 不仅 按照AEC-Q101标准完成了三批次可靠性认证，获得车规级可靠性认证证书 ，而且通过 了更 严格的Beyond-AEC Q 可靠性 考核，包括动态可靠性（D- HT RB，D-H3TRB ， AC-BTI ) ，栅极负偏压下的HTRB 等 。
通过上述Beyond-AEC Q 和极限性能测试，充分验证了 第三代 工艺平台及产品在多种边界工况下的稳定性和鲁棒性，为迎接市场考验做好了充足的准备。
02.
关于瞻芯电子
上海瞻芯电子科技股份有限公司（简称“瞻芯电子”）是一家聚焦于碳化硅(SiC)半导体领域的高科技芯片公司，2017年成立于上海临港。公司致力于开发碳化硅功率器件和模块、驱动和控制芯片产品，并围绕碳化硅(SiC)应用，为客户提供一站式解决方案。
瞻芯电子将持续创新，放眼世界，致力于打造中国领先、国际一流的碳化硅(SiC)功率半导体和芯片解决方案提供商。
碳化硅(SiC)晶圆厂 ：浙江省义乌市苏溪镇好派路599号
产品概览
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