芯片高性能趋势演进下，玻璃基板有望崭露头角

源达信息半导体行业专题研究：芯片高性能趋势演进下，玻璃基板有望崭露头角

芯片高性能演进趋势下，玻璃基板优势凸显

玻璃基板的热膨胀系数（CTE）与元器件非常接近，且湿度系数为零，可以用作封装（IC）基板。芯片互联的主要薄弱环节在于界面处和焊接点处，由于不同材料的热膨胀系数不同，在热变化下芯片易发生断裂和变形等不良情况。而玻璃基板的热膨胀系数与元器件接近，具备高温稳定性、透光性好和绝缘性强等优点，有望在高性能芯片封装领域得到更多应用。

先进封装有望引入玻璃基板，大厂逐步开始布局

玻璃基板除具有优异的热稳定性和电气性能外，还具有更大的封装尺寸。即相同面积的玻璃基板可容纳下更多的芯片“裸片”，根据英特尔信息，玻璃基板可多放置约50%的芯片“裸片”。算力时代下，对芯片性能提出更高要求Chiplet等先进封装技术已成为未来提升芯片性能的主要手段，传统IC基板的物理性能已无法满足要求，玻璃基板有望在先进封装领域得到更多应用。目前英特尔、三星等晶圆厂均已加码玻璃基板技术，三星预计2026年有望推出面向高端SiP的量产封装基板。

TGV是玻璃基板必备工艺，国内公司已有相关技术

玻璃基板作为有可能替代硅基转接板的材料，玻璃通孔（TGV）技术是必备前提。其中激光诱导刻蚀法具有成孔效率快、可制作高密度、高深宽比的玻璃通孔、玻璃通孔无损伤等优点，在皮秒、飞秒等超快激光器技术进一步成熟、成本下降趋势下已成为主流的TGV制造工艺。国内大族激光、云天半导体、帝尔激光和德龙激光等公司已具备类似技术，并已推出相关TGV钻孔设备。

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