芯片高性能演进趋势下,玻璃基板优势凸显

玻璃基板的热膨胀系数(CTE)与元器件非常接近,且湿度系数为零,可以用作封装(IC)基板。芯片互联的主要薄弱环节在于界面处和焊接点处,由于不同材料的热膨胀系数不同,在热变化下芯片易发生断裂和变形等不良情况。而玻璃基板的热膨胀系数与元器件接近,具备高温稳定性、透光性好和绝缘性强等优点,有望在高性能芯片封装领域得到更多应用。

 

先进封装有望引入玻璃基板,大厂逐步开始布局

玻璃基板除具有优异的热稳定性和电气性能外,还具有更大的封装尺寸。算力时代下,对芯片性能提出更高要求,Chiplet等先进封装技术已成为未来提升芯片性能的主要手段,传统IC基板的物理性能已无法满足要求,玻璃基板有望在先进封装领域得到更多应用。目前英特尔、三星等晶圆厂均已加码玻璃基板技术,三星预计2026年有望推出面向高端SiP的量产封装基板。

 

TGV是玻璃基板必备工艺,国内公司已有相关技术

玻璃基板作为有可能替代硅基转接板的材料,玻璃通孔(TGV)技术是必备前提。其中激光诱导刻蚀法具有成孔效率快、可制作高密度、高深宽比的玻璃通孔、玻璃通孔无损伤等优点,在皮秒、飞秒等超快激光器技术进一步成熟、成本下降趋势下已成为主流的TGV制造工艺。

 

投资策略

芯片高性能趋势下玻璃基板有望凭借优异的热稳定性和电学性能在先进封装领域得到更多应用,相关厂商已在布局,TGV工艺是玻璃基板用于先进封装领域的必备技术,国内多家激光设备厂商已储备激光诱导刻蚀技术。

 

 

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参考来源:2024年6月26日  源达证券 吴起涤,程治   芯片高性能趋势演进下,玻璃基板有望崭露头角

 

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本文由投资顾问:尚亚雄 A1290623030001 编辑整理

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