最近很火HBM技术，到底是什么呢？HBM的全称是High Bandwidth Memory，即一款新型的CPU/GPU 内存芯片，说得再简单一点就是“RAM”。主要还是用在显卡上作为显卡显存。
先来简单了解一下HBM，相对于GDDR显存来说，HBM是一种3D堆叠方式，可以允许纵向布局，就是将很多个DDR芯片堆叠在一起后和GPU封装在一起，实现大容量，高位宽的DDR组合阵列。HBM封装技术是2D、2.5D向3D封装跨越的关键技术。自2015年面世以来，HBM封测技术已扩展到第五代。目前英伟达急需的第五代HBM3E芯片是HBM3的扩展版，预计第六代HBM4芯片将于2025年上市。
佰维存储东莞松山湖先进封装和惠州先进封测及存储器制造扩产项目均涵盖WLCSP、2.5D/3D等晶圆级先进封装技术，主要承担着国外技术卡脖子国产替代的任务。
加码先进封装 松山湖项目预计2025年量产
在2023年7月发布定增草案后，佰维存储新的战略计划也越来越清晰。
去年12月，佰维存储宣布定增方案中的晶圆级先进封测制造项目落地东莞松山湖高新技术产业开发区。
近期关于佰维存储是否要发力HBM的猜测声音四起。公司在互动平台上表示，公司拟定增募资建设的晶圆级先进封测制造项目可以构建HBM实现的封装技术基础。
佰维存储表示，公司在存储器先进封测领域掌握16层叠Die、30~40m超薄Die、多芯片异构集成等先进封装工艺，能够为NAND、DRAM芯片和SiP封装产品的创新力及大规模量产提供支持。
在股东会上，佰维存储董秘黄炎烽向投资者表示，佰维目前想做两件事情：一个是存储方案解决商，一站式从解决方案到产品制造再到售后全部实现落地，另一个就是先进封装。
“先进封装包括2.5D到3D的封装，将会通过松山湖项目来实现。公司现在惠州工厂能做出Chiplet封装（多芯片异构集成），即把SoC和存储封装在一个模块，并且在早几年已经实现量产，帮助Meta、谷歌等大公司做过产品。”
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