UNITTEC NEWS
众合科技控股子公司浙江海纳半导体股份有限公司参与修订的国家标准《硅中代位碳含量的红外吸收测试方法》(GB/T 1558-2023),由国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会发布,将于明日(2024年7月1日)起正式实施。这不仅彰显了海纳股份在半导体材料领域的行业地位,也体现了公司对行业发展的高度责任感和使命感。
![](https://gbres.dfcfw.com/Files/iimage/A202406301010095/D6AF689874FCA6AF41773A62BCF824EB_w883h559.png)
国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会发布即将实施信息
单晶硅是目前国内外大规模集成电路的主要材料,提高单晶硅质量主要是降低材料中的各种有害杂质含量。碳杂质的存在对于单晶硅直接影响后续器件的软特征和击穿电压。生产硅单晶的原材料和生长环境极易使碳杂质被引入到硅晶体中去,如果要提高单晶硅质量和器件成品率,就必须严格控制硅材料中的碳含量。一般硅单晶中碳含量比氧含量低一个数量级,同时在碳吸收峰附近有一个非常强的硅晶格吸收峰干扰测定,增加了碳含量准确测试的难度。影响碳含量准确测试的因素很多,GB/T1558-2009中很多内容的标注和规定不够准确。本次修订通过调研查阅国外相关标准,完善和补充了GB/T1558方法原理、测试环境条件、碳吸收谱基线选取方法,更改干扰因素、试样制备等。
本次起草单位(按顺序):中国电子科技集团公司第四十六研究所、青海芯测科技有限公司、天津中环领先材料技术有限公司、浙江金瑞泓科技股份有限公司、山东有研半导体材料有限公司、浙江海纳半导体股份有限公司、布鲁克(北京)科技有限公司、中国计量科学研究院、有色金属技术经济研究院有限责任公司、开化县检验检测研究院、四川永祥新能源有限公司、亚洲硅业(青海)股份有限公司、新疆新特新能材料检测中心有限公司、陕西有色天宏瑞科硅材料有限责任公司、中电晶华(天津)半导体材料有限公司、浙江众晶电子有限公司、义乌力迈新材料有限公司、湖南三安半导体有限责任公司。
消息来源:海纳半导体
推荐阅读
![](https://gbres.dfcfw.com/Files/iimage/A202406301040091/FAA24D108DA8AE8649E9246F034A4C82_w574h381.jpg)
2024-06-27
![](https://gbres.dfcfw.com/Files/iimage/A202406301030092/22F71D6DF6924AB00A1FDCA14E67D62D_w973h649.jpg)
2024-06-24
![](https://gbres.dfcfw.com/Files/iimage/A202406301010096/3E6A5384232E0FBC9B7899EB74568CC6_w912h605.jpg)
2024-06-20
![](https://gbres.dfcfw.com/Files/iimage/A202406301010097/FA0913D449E5F9FDD58D7E81272EA30B_w912h605.jpg)
2024-06-20