三星、SK等进军8吋GaN！总投资超7亿

最近，韩国多家半导体厂商启动了化合物功率半导体技术发展计划，三星、SK Siltron及DB HiTek等多家企业正积极参与其中，重点发展GaN技术，打造韩国化合物功率半导体生态系统。

6月28日，据多家韩媒报道，三星电子、SK Siltron、韩国东部高科（DB HiTek）以及无晶圆厂ABOV Semiconductor共同签署了半导体业务协议（MOU），共同致力于“化合物功率半导体先进技术开发项目”。

据介绍，韩国政府将从今年到2028 年，计划提供1385 亿韩元（约7.2亿人民币）的资金支持以推进该项目，其中包括 939 亿韩元的政府资金和 446 亿韩元的私人投资；技术支持方面，韩国产业技术规划和评估研究院（KITIE）将为参与机构提供研发支持。

“行家说三代半”了解到，该项目将首先聚焦GaN功率半导体的研发，三星电子、SK Siltron及DB HiTek均公开表示，要把GaN业务实现商业化：

 去年6月，三星电子代工部门总裁崔时英在三星代工论坛上宣布，他们将从2025年开始建设8英寸氮化镓化合物功率半导体代工厂；在参与该项目后，三星电子再次重申了这一战略目标，目标是基于其深厚的LED开发经验来攻克氮化镓功率半导体。

 SK Siltron也开始通过其子公司SK KeyFoundry（启方半导体）开发和量产GaN半导体。约半个月前，SK KeyFoundry宣布已获得8英寸650V 氮化镓 HEMT 的器件特性，并计划在今年内完成开发。

 今年5月，DB HiTek宣布将在今年第三季度引进氮化镓器件生产所需的相关设备，并在今年年底前完成量产准备，预计该GaN代工厂将从明年年初开始运营。

早在2023年Q3，上述企业就已和爱思强达成设备采购合作，纷纷采购爱思强的金属有机化学气相沉积（MOCVD）设备，目标是在2025年至2026年将8英寸GaN代工服务商业化。下一步，他们还将扩大功率半导体阵容，未来将进军SiC芯片制造服务市场。

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