核心观点
NAND：NAND 颗粒市场价格小幅波动，三星首次将钼应用于第 9 代 V-NAND 工艺。根据 DRAMexchange，上周（0701-0705）NAND 颗粒 22 个品类现货价格环比涨跌幅区间为-0.95%至 1.33%，平均涨跌幅为-0.06%。其中 12 个料号价格持平，2个料号价格上涨，8 个料号价格下跌。
根据 CFM 闪存市场报道，目前三星已引进了 5台 LamResearch 钼沉积设备，明年还将引进约 20 台设备。三星电子在金属布线工艺中应用钼是为了提高晶体管内的“电阻率”。通过提高电阻率，NAND 可以堆叠得更高。
此外，在 NAND 金属布线工艺中使用钼，可将延时减少 30%-40%。据悉，除三星电子外，SK 海力士、美光、铠侠等也在考虑将钼应用到 NAND Flash。
DRAM：颗粒价格小幅波动，美光 1 DRAM 试产进展顺利。根据DRAMexchange，上周（0701-0705）DRAM18 个品类现货价格环比涨跌幅区间为-4.54%至 4.51%，平均涨跌幅为 0.92%。上周 11 个料号呈上涨趋势，7 个料号呈下降趋势，0 个料号价格持平。根据 CFM 闪存市场报道，美光目前所有量产 DRAM 芯片均采用 DUV 光刻机制造，但已于今年开始 1工艺的 EUV 技术试生产，并计划于2025 年实现量产。美光 CEO Sanjay Mehrotra 近日在电话会议上确认，1DRAM 试产进展顺利，符合量产计划。
HBM：HBM 产能售罄至 2025 年，HBM4 技术迭代加速。根据 CFM 闪存市场报道，随着人工智能（AI）、高性能计算（HPC）和数据中心的快速发展，HBM 芯片市场需求激增。HBM 芯片在通用内存市场的占比已从 8%增长至 15%，成为许多高性能应用的首选。美光科技（Micron）和 SK 海力士（SK Hynix）作为 HBM 市场的主要玩家，近期均宣布其 HBM 生产产能已全部售罄直至 2025 年。HBM4 技术预计将带来重大变革，包括接口宽度的增加、堆叠层数的提升、功耗的降低以及工艺的改进。
市场端：价格处于底部盘整阶段。上周（0701-0705）eMMC 和 UFS 价格持平。根据 CFM 闪存市场报道，目前市场买气消沉，部分产品线市场流速减缓处于持续库存去化阶段。现货渠道 SSD 和内存条市场价格全面小幅下探，整体需求惨淡且抢单厮杀激烈。存储行业 SSD 和内存条价格相对持平，未出现明显杀价情况。嵌入式价格趋于平稳。虽嵌入式现货市场有少量询单，但市场成交依然寡淡，整体市场观望情绪浓重。
投资建议
持续看好受益先进算力芯片快速发展的 HBM 产业链、以存储为代表的半导体周期复苏主线。
HBM：受益于算力芯片提振 HBM 需求，相关产业链有望迎来加速成长，建议关注赛腾股份、壹石通、联瑞新材、华海诚科等；
存储芯片：受益于供应端推动涨价、库存逐渐回归正常、AI 带动 HBM、SRAM、DDR5 需求上升，产业链有望探底回升。推荐东芯股份，建议关注恒烁股份、佰维存储、江波龙、德明利、深科技等。
风险警示：
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