一种新型半导体抛光片表面颗粒去除方法最新公布日2024-07-09最新公布号CN

$上海合晶(SH688584)$  一种新型半导体抛光片表面颗粒去除方法

最新公布日

2024-07-09

最新公布号

CN118315264A

申请日

2024-04-19

申请号

CN202410477293.6

发明人

汪祖一、吴炜、杨晟远

专利代理机构

北京金诚同达律师事务所

代理人

李强

摘要

本发明公开了一种新型半导体抛光片表面颗粒去除方法，包括如下步骤：S1、将仓储超过六个月的合格晶片从仓库中取出，S2、将晶片放置在温度低于零下18摄氏度的冰箱中，S3、送入氮气柜，S4、晶片表面的固相的冰晶迅速升华，然后对晶片表面颗粒进行检测，本发明采用升华法处理晶片，通过水汽包裹晶片表面颗粒后形成水膜，经低温处理，水分子结晶导致颗粒与晶片吸附力减弱，再放置在室温的氮气柜中即可将颗粒吹落，一次处理的晶片达标率达到90％，只需将剩余的10％不合格晶片进行RCA清洗即可，整体降低晶片处理成本、生产成本90％以上，并大幅度减少废液处理总量，使得化学液使用量和排放量下降90％，减少后续废液处理难度，更加环保。