2024-7-11调研咨询机构环洋市场咨询出版的【全球碳化硅外延片行业总体规模、主要厂商及IPO上市调研报告，2024-2030】只要调研全球碳化硅外延片总体规模，主要地区规模，主要企业规模和份额，主要产品分类规模，下游主要应用规模以及未来发展前景预测。统计维度包括销量、价格、收入，和市场份额。同时也重点分析全球市场主要厂商（品牌）产品特点、产品规格、价格、销量、销售收入及发展动态。历史数据为2019至2023年，预测数据为2024至2030年。
出版机构：Global Info Research电子及半导体研究中心
报告页码:128
外延层是在晶圆的基础上，经过外延工艺生长出特定单晶薄膜，衬底晶圆和外延薄膜合称外延片。碳化硅外延片，是指在碳化硅衬底上生长了一层有一定要求的、与衬底晶向相同的单晶薄膜（外延层）的碳化硅片。SiC外延环节是在SiC衬底上，通过化学气相沉积、液相外延、分子束外延、或升华外延等方法，生长一层具有特定要求且晶体取向与衬底相同的单晶薄膜的过程。目前大规模生产中主要采用化学气相沉积法。外延过程可以使表面晶格排列整齐，大幅优化衬底形貌，从而有效减弱晶体生长与加工中引入的缺陷所造成的不利影响，进而显著提升SiC器件的性能与可靠性。不同外延层厚度对应不同耐压等级的器件规格，因而对应不同系列的产品。
根据本项目团队最新调研，预计2030年全球碳化硅外延片产值达到11290百万美元，2024-2030年期间年复合增长率CAGR为31.5%。
全球碳化硅外延片（Silicon Carbide Epitaxial Wafer）核心厂商有Wolfspeed、瀚天天成、Resonac、ROHM (SiCrystal)和天域股份(TYSiC)等，前五大厂商占有全球大约72%的份额。中国是全球最大的碳化硅外延片生产地区，占有接近45%的市场份额。产品类型而言，6英寸碳化硅外延片是最大的细分，占有大约88%的份额，同时就下游来说，600-1200V SiC器件是最大的下游领域，占有49%的份额。
根据不同产品类型，碳化硅外延片细分为：4英寸（100mm）、6英寸（150mm）、8英寸（200mm）
根据碳化硅外延片不同下游应用，本文重点关注以下领域：600-1200V SiC器件、1200-3300V SiC器件、3300V以上SiC器件
本文重点关注全球范围内碳化硅外延片主要企业，包括：Wolfspeed、瀚天天成、Resonac、ROHM (SiCrystal)、天域股份(TYSiC)、Coherent (II-VI)、SK Siltron、STMicroelectronics、南京百识电子、希科半导体、中电化合物、普兴电子。
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