三星电子将采用4纳米加工工艺生产HBM4芯片

开盘动态

今日开盘，中韩半导体上涨1.02%，领涨同板块。$中韩半导体ETF(SH513310)$

主要成分股表现

今天开盘，中韩半导体ETF主要成分股走势分化，韩方成分股走势较强，韩美半导体、三星电子领涨。

最新资讯

半导体行业有望迎来并购整合潮

半导体行业或掀起并购潮。7月14日晚，富创精密、希荻微两家半导体公司公告并购计划。此前，在支持并购重组的“科创板八条”出台不久，芯联集成、纳芯微已发布并购方案。专家认为，半导体行业处于周期底部，这是产业整合的“黄金期”。通过并购重组整合资源，有利于打破行业中低端“内卷”，提升我国半导体产业竞争力和话语权。(中国证券报 240715)

三星电子将采用4纳米加工工艺生产HBM4芯片

$三星电子(GDR)(OTCBB|SSNGY)$

三星电子计划利用自身前沿的4纳米加工工艺进行下一代高带宽存储器(HBM)的生产，以此与SK海力士和台积电(TSMC)等规模更大的竞争对手展开竞争。三星电子决定，将以存储事业部门和加工事业部门合作为基础，同时发挥自身兼具的代工和HBM芯片的设计制造能力，以更好在HBM生产领域与作为Nvidia主要供应商的竞争对手竞争。

三星电子从去年开始应用的4nm制程需要复杂的技术和比旧制程多一倍的资源，但是芯片表现上，4nm制程芯片具有更高的性能和更低的功耗。三星电子期待，通过4nm代工工艺，可以使HBM芯片的生产更加便利，并使得自身在行业中占据主导地位。

为了使HBM4芯片的性能最大化，三星电子计划从逻辑芯片的设计阶段开始，和三星电子的 System LSI部门一起寻求优化。三星电子有关人士表示:“与台积电和SK海力士不同，能够参与芯片设计是我们的独特优势。”据业内人士透露，三星电子将System LSI部门的人员调到了新成立的HBM开发小组。

SK海力士和台积电已经采取了应对措施。两家公司决定，在原计划的12纳米工艺基础上，增加5纳米工艺生产HBM4逻辑芯片。为了提高HBM4的性能，SK海力士聘请了经验丰富的c设计工程师，增加了人才基础。

（韩国经济日报 240715）

$长川科技(SZ300604)$

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