明年供应缺口或超20%，产能排挤效应有望掀涨价潮

行业媒体报道，供应链透露，已接获三星通知，其高频宽存储器（HBM）产品HBM3e通过英伟达（NVIDIA）认证，预计本季开始供货，并将提拨高达三成既有DRAM产能生产HBM3e，造成庞大的产能排挤效应，“要赶紧备货（DRAM）”，料将引爆DRAM涨价潮重头戏，南亚科、威刚、十铨等台厂坐享涨价利益。业界分析，三星是全球存储器龙头，DRAM市占高达45%以上，以三星拟提拨三成产能生产HBM3e换算，全球现有超过13%的DRAM产能不再投入DDR4或DDR5等DRAM，导致DRAM市场供给更紧俏。