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近期，安森美、英飞凌及汉磊等6家国内外SiC玩家都在不断推陈出新，推出最新一代SiC MOSFET产品，以满足市场对高性能、高效率和高可靠性功率器件的需求。
本文将探讨这些企业最新一代SiC MOSFET产品的特点和优势，看看它们是如何通过技术创新推动工业、汽车和能源存储等领域的发展。
安森美：
推出EliteSiC M3e MOSFET
7月19日，据“EE POWER”媒体消息，安森美于近日推出了最新一代碳化硅技术平台 EliteSiC M3e MOSFET，这一创新产品旨在显著提升高耗电应用的能效，加速推进电气化转型，以实现更可持续的未来。
报道称，EliteSiC M3e MOSFET采用行业标准的TO-247-4L封装，样品现已上市，可供工程师和设计师进行测试和评估；此外，该新品已确定将搭载于大众汽车的下一代800V汽车平台——SSP（.点这里.）。
EliteSiC M3e MOSFET系列 图片来源：安森美
据“行家说三代半”了解，该新品通过其独特的平面架构，能够将电气化应用的关断损耗降低多达50%，同时显著降低导通损耗和开关损耗，从而提高整体能效。
与前几代产品相比，EliteSiC M3e MOSFET在导通损耗上降低了30%，同时提供超低导通电阻和抗短路能力，这对于主驱逆变器应用至关重要。采用安森美先进的分立和功率模块封装，1200V M3e裸片能够提供更大的相电流，使同等尺寸主驱逆变器的输出功率提升约20%。
未来，安森美还计划在2030年前加速推出多款新一代碳化硅产品，以满足日益增长的能源需求，并助力全球电气化转型。
英飞凌：
推出CoolSiC™ MOSFET G2
7月12日，英飞凌官微宣布，他们推出了最新一代CoolSiC™ MOSFET G2技术。该产品以其卓越的效率和低功耗，成为电动汽车充电站、光伏系统、储能解决方案、电机驱动和工业电源等领域的关键驱动力。
据介绍，与硅基产品相比，CoolSiC™ MOSFET G2不仅提升了2.3%的充电效率，还降低了10%的功率损耗；其开关频率是传统硅基产品的三倍，功率上限也得到了显著提升，最高可提高60%。
此外，CoolSiC™ MOSFET G2采用的.XT技术有效降低了芯片的瞬态热阻，提升了15%的芯片性能，并延长了80%的使用寿命。其最大工作结温的提高到200摄氏度，为客户提供了更大的设计灵活性，确保了在各种严苛环境下的可靠性和耐用性。
飞锃半导体：
推出第3代SiC MOSFET
6月13日至15日，第十七届国际太阳能光伏与智慧能源（上海）大会成功举办，飞锃半导体在现场展示了其最新的第三代1200V SiC MOSFET、750V SiC MOSFET等尖端产品。
飞锃半导体隆重推出了其最新一代Gen3B碳化硅MOSFET系列，全面覆盖市场需求主流规格，包括750V 11/25/40/55m和1200V 15/20/30/40m。这些产品通过技术与工艺的双重革新，实现了一致性更好、开关损耗更优、导通特性更为出色的表现。特别适用于充电桩、光伏储能系统以及电动汽车的关键部件如车载充电器(OBC)、DC/DC转换器和主驱动系统。
此外，飞锃还推出了车规级SiC MOSFET产品，具备高可靠性和高鲁棒性，通过了严格的车规AEC-Q101可靠性验证和960V高压H3TRB测试。
瀚薪科技：
推出第3代SiC MOSFET
在上海举办的慕尼黑电子展上，上海瀚薪科技有限公司展示了其最新的国产化第三代1200V MOSFET产品系列。
瀚薪科技的H3M SiC MOSFET系列以其高性能、高可靠性和创新设计吸引了业界的广泛关注。这些产品支持15/18V驱动，并涵盖16m至120m的多种RDS(on)规格，特别在18V驱动下展现出更优的性能指标。此外，这些产品还采用了公司自主知识产权的顶部散热封装技术。
同时，瀚薪科技还展出了第二代1700V/3300V SiC MOSFET，包括1700V 500m、750m、1规格的产品以及3300V 60的第三代SiC MOSFET，这些产品以其性价比和性能优势满足不同应用需求。
汉磊：
推出SiC MOS G3方案
7月8日，据“工商时报”消息，汉磊推出了全新碳化硅第三代平面型MOSFET G3方案，该平台已通过多家客户的可靠度测试，并通过车规级可靠性测试认证。
汉磊指出，新一代技术将芯片缩小与降低导通电阻，使客户能够有效率地整合组件，提供更小、更节能、更高功率密度的产品，以满足市场技术最新发展的需求，同时，该技术已与国际IDM大厂能力齐头并进。
汉磊总经理刘灿文表示，汉磊研发团队持续投入新一代制程技术，目前正对客户开放碳化硅第三代平面型MOSFET技术平台，相较前一代G2，G3降低了器件面积约40%，并改善导通电阻（Ronsp）30%，满足客户对技术提升与高效的需求，并增加更多国际IDM客户合作商机。
瞻芯电子：
第三代SiC MOS通过车规认证
6月，瞻芯电子宣布，其基于第三代工艺平台开发的1200V 13.5m SiC MOSFET产品（IV3Q12013T4Z）通过了车规级可靠性(AEC-Q101)测试认证。
据介绍，瞻芯电子第三代产品在保持器件耐压和短路能力的同时，将比导通电阻Rsp降低至2.5m*cm，开关损耗相比第二代产品进一步降低了30%以上。这些改进使得第三代SiC MOSFET在车载电驱动系统等应用中表现更为出色。
此外，第三代1200V SiC MOSFET的元胞Pitch缩小了超过20%，进一步提升了产品的性能和可靠性。首款产品IV3Q12013T4Z不仅完成了AEC-Q101标准的三批次可靠性认证，还通过了更严格的Beyond-AECQ可靠性考核，包括动态可靠性（D-HTRB，D-H3TRB，AC-BTI）和栅极负偏压下的HTRB等测试。
目前，瞻芯电子第三代1200V SiC MOSFET工艺平台已正式量产。随着其第三代产品的量产，瞻芯电子将继续推动SiC功率器件在更广泛领域的应用，助力行业发展。
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