据韩媒报道,Apro Semicon 24日宣布,公司已开发出8英寸1200V硅基氮化镓(GaN-on-Si)外延片,并预计今年年底大规模投产。报道称,继2021年引进对8英寸GaN的发展至关重要的MOCVD设备之后,Apro Semicon一直在推动GaN外延片的开发。经过约三年的研发,该公司成功开发出了8英寸1200V GaN外延片。据介绍,该产品的可承受的最高电压(击穿电压)为1600V,可实现高效功率转换,而且外延片厚度和均匀性的质量已提高到99%。据悉,Apro Semicon最初计划开发GaN外延片是为了供应给母公司Apro,用于其二次电池活化设备。然而,由于最近快速充电器、电源和汽车电子等产品对GaN功率半导体的需求扩大,该公司决定拓宽目标市场,并开始与多家系统制造商展开全面合作。除功率半导体外,Apro Semicon还在开发用于射频(RF)器件的外延片。据报道,该公司正在与韩国国频半导体公司进行“GaN on SiC”外延片的样品测试。在融资方面,继去年成功获得50亿韩元(折合人民币约2600万元)的A轮投资后,Apro Semicon今年正在进行500亿韩元(折合人民币约2.6亿元)的B轮融资,用以加速GaN外延片的大规模生产。
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